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Efficient Power Conversion(EPC)、ワイド・バンドギャップのパワー半導体デバイスの特性評価を英国工学技術学会(The Institution of Engineering and Technology)が出版したと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、ワイド・バンドギャップのパワー半導体デバイスの特性評価を英国工学技術学会(The Institution of Engineering and Technology)が出版したと発表

著者らの長年の豊富な経験に基づいたワイド・バンドギャップ(WBG)・デバイス特性の権威ある概論です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年9月21日、英国工学技術学会(The Institution of Engineering and Technology)が出版した書籍Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices をEPCのシニア・アプリケーション・エンジニアのEdward A. Jones博士が共著したと発表しました。この本は、特に、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体の利用に基づくワイド・バンドギャップ(WBG)・デバイスの静特性と動特性の両方に関心がある研究者、専門とする学生、および実践する技術者を支援するために不可欠な内容を提供します。この本では、実際のアプリケーションの実践的な考察を説明し、記述された方法論の適用例も示します。

現在のパワー・エレクトロニクス・コンバータの中心には、パワー半導体のスイッチング・デバイスがあります。炭化ケイ素や窒化ガリウムなどのワイド・バンドギャップ(WBG)半導体デバイスの出現によって、確立されたシリコン・ベースのデバイスを使用するコンバータよりも高効率、小型、軽量、低コストのパワー・エレクトロニクス・コンバータを実現できます。ただし、WBGデバイスには、コンバータの設計に新たな課題があり、特にスイッチング速度が高速で、より厳密な保護が必要なので、より慎重な特性評価が必須です。

ワイド・バンドギャップのパワー半導体デバイスの特性評価では、パワー・デバイスのこの重要な分野の特性評価の例と共に、包括的な方法論を示しています。この本は、序論の後、パルス化された静特性;接合容量の特性評価;動特性の基礎;動特性評価のためのゲート駆動;レイアウト設計と寄生要素の管理;ダブル・パルス試験に対する保護設計;動特性評価のための測定とデータ処理;クロストークの考察;3相システムの影響;回路構成の考察について説明します。

この書籍Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devicesは、Amazon.comで購入できます。

著者について

Fei (Fred) Wangは、電気工学の教授、パワー・エレクトロニクスのCondra Chair of Excellenceです。米国テキサス州ノックスビルのテネシー大学NSF / DOE工学研究センターCURENT(Center for Ultra-wide-area Resilient Electric Energy Transmission Networks)のテクニカル・ディレクタで、米国オークリッジ国立研究所でも併任。400件以上の学術誌や論文を発表。この書籍の3つの章を執筆。米国特許を15件取得。IEEEとNAIのフェロー。

Zheyu Zhangは、米ゼネラル・エレクトリックのグローバル・リサーチ・センターで、パワー・エレクトロニクスの主導的なエンジニアです。2015年~2018年、テキサス州ノックスビルのテネシー大学の研究助教授。最も有名な学術誌や会議の論文集に60件以上の論文を発表。特許を4件出願し1件取得。IEEEチュートリアル・セミナー2回。IEEEの論文賞を2回受賞者。

Edward A. Jonesは、Efficient Power Conversionのシニア・アプリケーション・エンジニアです。博士号取得。テネシー大学で学長フェロー、CURENTフェロー、テキサス州ノックスビルのBredesen Energy Sciences and Engineeringフェローを歴任。査読済みIEEE論文、IEEEチュートリアル・セミナー、特許を20件以上発表。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle [email protected]、Winnie Wong ([email protected])