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eGaN FETとICを使った最も小型で最も高効率の48 V入力、5 V~12 V出力のDC-DCを実現

eGaN FETとICを使った最も小型で最も高効率の48 V入力、5 V~12 V出力のDC-DCを実現

最新のデータセンターで電源アーキテクチャが12 Vの電力バス分配から48 Vへと移行していることに伴って、48 V系の電力変換効率と電力密度の向上への要求が高まっています。この流れに沿って、eGaN® FETとICを使って設計されたDC-DCコンバータは、高効率化と高電力密度化のソリューションを実現できます。加えて、マイルドハイブリッド、ハイブリッド、およびプラグイン・ハイブリッドの電気自動車における48 V電源システムに対して、GaNトランジスタは、大きさ、重さ、および部品表(BOM)のコスト削減を提供することができます。

米Power Systems Design誌
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