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Efficient Power Conversion(EPC)、車載品質のeGaN FETを製品化、Lidarシステムの「目」の改善に貢献、48 Vの自動車用電源システムの効率を向上し、コストを削減

Efficient Power Conversion(EPC)、車載品質のeGaN FETを製品化、Lidarシステムの「目」の改善に貢献、48 Vの自動車用電源システムの効率を向上し、コストを削減

EPC(Efficient Power Conversion)は、新たに窒化ガリウム・デバイスを2品種製品化し、車載品質AEC Q101の製品ファミリを拡張しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年1月16日、当社のeGaNデバイス2品種が、新たに車載品質AEC Q101の認定を取得したと発表しました。自動車業界、およびその他の過酷な環境におけるさまざまなアプリケーションに対応します。この新製品2品種(「EPC2206」と「EPC2212」)は、いずれもウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ(WLCS:wafer level chip-scale package)に収めたディスクリート・トランジスタで、耐圧は、それぞれ80 Vと100 Vです。

eGaN技術は、8年以上にわたって量産されており、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)や、データセンターのコンピュータ、超ハイファイのインフォテインメント・システム、トラックの高輝度ヘッドランプに使う48 V入力、12 V出力の DC-DCコンバータなどの車載用途で合計数10億時間も実際に使用された実績があります。 今回の新しいデバイスは、厳しい自動車用AEC Q101認定試験を完了しました。今後も、厳しい車載環境向けに設計されたディスクリート・トランジスタや集積回路を順次、製品化する予定です。

EPC2206は、面積6.1 mm×2.3 mmのチップスケール・パッケージに収められたパルス電流定格390 Aで、耐圧80 V、オン抵抗2.2 mΩのエンハンスメント・モードFETです。EPC2212は、面積2.1 mm×1.6 mmのチップスケールパッケージに収められたパルス電流定格75 A、耐圧100 V、オン抵抗13.5 mΩの部品です。これらのeGaN FETは、定格が同等のシリコンMOSFETに比べて10~100倍も高速にスイッチングできます。

EPC2206は、最新の自動車に搭載されている消費電力の大きい電気駆動の機能を管理するために48 Vの電力分配バスを利用するクルマに最適です。これら機能には、例えば、電子制御のアイドリング・ストップ、電動ステアリング、電子制御サスペンション、インバータ・エアコンなどあります。そして今、自動運転車の出現に伴い、Lidar、レーダー、カメラ、超音波センサーなどのシステムからのさらなる電力要求が電力分配システムに課され、自動車が48Vのバス・システムに移行する必要性が高まっています。48 Vのバス・システムでは、EPC2206のようなGaNデバイスは、効率を高め、大きさと重さを削減し、システム・コストを低減します。

EPC2212は、非常に短いパルス幅で大電流を生成するようにFETをトリガーすることができるので、lidarシステムのレーザーを動作させるための使用に最適です。パルス幅を短くすることによって、より高い分解能が得られ、より大きなパルス電流によって、より長い距離でもLidarシステムが対象物を識別できるようになります。これら2つの特性に加え、超小型、低コストによって、eGaN FETは、要求の厳しい自動車用途のLidar だけでなく、レーダーや超音波センサーにも理想的です。

EPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、「自動運転を可能にし、燃費と安全性を向上させるように設計されたトランジスタと集積回路の絶え間ない開発の流れの中に、この2品種の車載製品があります。当社のeGaN技術は、今日のクルマで使われている成熟したシリコン・パワーMOSFETよりも高速、小型、高効率、低コスト、そして高信頼性です」と述べています。

米国での参考価格と購入方法

eGaN FETであるEPC2206の500個購入時の単価は3.65米ドル、EPC2212の1000個購入時の単価は1.37ドルです。いずれの製品も、米Digi-Key社のウエブサイト(Digi-Key)で購入でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger ([email protected])

eGaNは、Efficient Power