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GaNの力と進化、パート5：eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築
Posted 2019年1月23日
GaNデバイスが性能に貢献する例として、主流のアプリケーションの１つであり、伝統的なシリコンの用途である12 V入力、1 V出力のPOL（負荷点） DC / DCコンバータを検討します。全体で1 W当たり0.20米ドル以下のコスト、電力密度が少なくとも1000 W / 立方インチで、5 MHzにおいてピーク効率78％を実現する12 V入力、1 V、12 A出力のeGaN ICベースのコンバータを紹介します。
米Power Systems Design誌
2019年1月
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