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2023年7月3日、中国商務省は、今年8月からガリウムやゲルマニウムなどの金属資源の輸出に一定の制限を設けると発表しました。EPCのウエハー技術は、「GaNオン・シリコン」ですが、各デバイスに含まれるガリウムの量は微量です。入手可能なガリウムの供給源は世界中に多くあり、EPCの必要量は比較的少ないため、短期または長期の供給中断はないとみています。
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Efficient Power Conversion(EPC)が製品化した新しい第6世代のデバイスは、同等のシリコンMOSFETの1/5と小型で、前世代のeGaNデバイスの2倍強力です。ビデオでCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)に聞きました。
エレクトロイクス・ニュース・サイトの独Electroniknet.de
2022年11月29日
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エレクトロニクスの国際展示会Electronica 2022のこのパネル・ディスカッションでは、複数のアプリケーション環境におけるSiCとGaNの利点と課題、および、大量生産能力と価格など広範な採用のために克服すべき最後の障壁について説明します。
米Power Electronics News誌
2023年1月
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Efficient Power Conversion(EPC)は、レーザーの飛行時間(time-of-flight)型Lidar(光による検出と距離の測定)向けに、80 V、15 Aのパルス・レーザー・ドライバICを製品化しました。
英Electronics Weekly紙
2023年1月
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GaNパワー・デバイスは、さまざまな形態の放射線に曝されたときに、耐放射線のMOSFETよりも丈夫なので、宇宙での電力変換用途に最適な選択肢となるはずです。GaN の電気的および熱的な性能は、宇宙環境での優れた動作も実証しています。このポッドキャストでは、米EPC Spaceの最高経営責任者(CEO)であるBel Lazarが、宇宙産業におけるGaNの重要性を分析します。同社のCEOとしての役割に加えて、同氏は現在、Efficient Power Conversion(EPC)のCOO(最高執行責任者)も務めています。
米EETimes誌
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窒化ガリウム技術の発展は、パワー・エレクトロニクスの新時代を切り開きました。より大きなバンドギャップ、臨界電界、および電子移動度は、GaN技術に最も影響を与える3つの要素です。イーモビリティ、ロボット、ドローン、産業オートメーションの各分野でのGaN技術に基づくモーター駆動用途の拡大に注力するために、EPCは、イタリアのトリノの近くに新しい設計アプリケーション・センターを開設しました。
独EE Times Europe誌
2022年9月
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Efficient Power ConversionのEPC2050は、エンハンスメント・モードのGaNパワー・トランジスタです。350 Vを超えるドレイン-ソース間電圧、55 mΩのドレイン-ソース間オン抵抗、1.3 Vのゲートしきい値電圧を備えています。
米オンライン・ニュースeverything PE
2022年4月
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成熟した低コストの製造と実証済みの信頼性によって、電気自動車、スマートフォン、民生用電子機器での使用が拡大しています。
Efficient Power Conversion(EPC)は、eGaN FETとICの新しいアプリケーションで、100以上の使用を記録しています。同社のCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、最も急成長している5つのアプリケーションは、ロボット、ドローン、民生用け製品、運転者警告システム、自動運転車向けのLidar(光による検出と距離の測定)システムであると述べています;すなわち、AI(人工知能)システム、サーバー、通信機器の電源システム向けのDC-DCコンバータ;イーモビリティやロボット向けのモーター駆動;耐放射線性が必要なモーター駆動やDC-DC電源などの衛星システム;太陽光発電用最大電力点追従です。
米ニューズレターSemiconductor Engineering
2021年12月
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EPCは、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDCモーター駆動で使える48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、65 Aの集積回路チップ・セットの製品化を発表しました。
eGaN ICのEPC23101とeGaN FETのEPC2302の組み合わせは、耐圧が最大100 Vで、最大負荷電流65 Aを供給でき、1 MHz以上のスイッチング速度が可能な新しいePowerチップ・セットです。
米ニュース・サイトEE World Online
2021年12月
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高効率な電力変換のために設計された窒化ガリウム(GaN)のパワー・トランジスタは、7年の間、生産されています。GaNの優れたスイッチング速度によって、光による検出と距離の測定、包絡線追跡、無線充電などの新しい市場が生まれました。これらの市場は、GaN製品が大量生産、低製造コスト、そして信頼性の評判を得ることを可能にしました。これらのすべてが、dc-dcコンバータ、ac-dcコンバータ、自動車などのアプリケーションにおいて、より保守的な設計技術者が評価プロセスを始めるために十分なインセンティブとなっています。そして、120億米ドル規模のシリコン・パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)市場に転換するための残った障壁は何ですか? つまり、自信です。設計技術者、製造技術者、購買管理者、上級管理者がすべて、GaNが新しい技術を採用するリスクを相殺して余りある利点を提供すると確信する必要があります。サプライチェーンのリスク、コストのリスク、信頼性のリスクの3つの重要なリスク要因を見てみましょう。
IEEE Spectrum誌
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先行している代表的なGaNパワー・メーカー(EPC社、米トランスフォーム社、カナダGaN Systems社、独インフィニオン社、米Navitas社)は、主流の量産アプリケーションに技術を移行させるときに重要な開発の詳細を発表しました。この5社の講演で発表された情報に基づいて、GaNパワー・デバイスの採用が劇的に拡大すると期待される3つの大きな理由があります。
Bodo’s Power Systems誌
2016年6月1日
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EPC社のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、APEC2015でGaNが可能にした最新のワイヤレス・パワー技術を紹介します。
米Power Systems Design誌
2015年3月19日
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市場調査会社の仏Yole Développement社の最新レポートによると、GaNパワー産業は、将来的に大きく成長する準備が整っています。
米Compound Semiconductor誌
2014年6月12日
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窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスは、利用される中で成長する大きな可能性を秘めているので、この市場機会は、より多くの新規サプライヤを魅了し続けています。この結果として、GaN技術ベースのパワー・デバイスのメーカーのリストは、着実に拡大しています。
米How2Power誌
2013年6月
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電力変換用途向けのGaN-on-Si技術を商用化するレースは、劇的なペースで続いています。2012年12月の時点で、20社以上の半導体ベンダーが、このレースに参加し、約7社のベンダーのグループによって主導されています。
www.bodospower.com
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