EPC2029:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 80 V
RDS(on), 3.2 mΩ
ID, 48 A
パルス ID, 360 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2029 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:4.6 mm × 2.6 mm

アプリケーション

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:新しいデバイスが提供されました(NDO)
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC2065を提案しています。NDO(新しいデバイスが提供されました)注:これは以前の世代のデバイスであり、完全にサポートされています。ただし、推奨するデバイスは、ほとんどのアプリケーションでより優れた価格と性能を提供します。
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