EPC2115:ゲート・ドライバを集積した150 V、5 AのデュアルeGaN® IC

ゲート・ドライバを集積

  • 伝搬遅延時間が短い
  • 最高動作周波数7 MHz
  • 5 V電源で動作

150 V、88 mΩのデュアルeGaN FET
低インダクタンスBGA

EPC2115 Gallium Nitride GaN Integrated Circuit
チップ・サイズ:2.9 mm x 1.1 mm

アプリケーション

  • ワイヤレス・パワー伝送
  • 高周波DC-DC変換
EPC2115 Schematic
ステータス:中止
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