GaN FET対MOSFET:48 V入力、1.8 V出力のDC-DC変換

EPCは、最新世代のプロセスで、シリコンMOSFETのパワー素子に再度、大きな打撃を与え、面積とコストを削減すると同時に性能を向上させました。このビデオでは、同等のMOSFETに比べて、電力損失を30%低減し、電力密度を3倍にし、はるかに小さい実装面積で済む100 VのGaN FETとの比較を列挙しています。