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  • 全新氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列增加績效差距
    • 改善阻抗值及主要的品質因數值達一倍
    • 更低阻抗相等於提高電流能力…..30 V、高達590A!!
    • 卓越的散熱性能
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