常見問題

eGaN® FET的可靠性

我們在第九階段產品可靠性測試報告中發佈了元件的平均失效時間(MTTF),而直至第九階段測試報告為止,我們在進行了超過9百萬個元件-小時的應力測試後,沒有元件發生任何故障。詳情及關於其他可靠性測試報告,請瀏覽eGaN FET可靠性網頁。

用於測試人體模型(HBM) 和機械模型(MM)的ESD測試分別使用JEDEC 及 EIA 標準。HBM 符合Class3A 等級或更高等級,MM符合Class C等級。 HBM 的ESD值可以在第九階段產品可靠性測試報告中找到。

經過30年以來的研究,我們已經非常理解矽MOSFET元件在性能上的劣化機制,因此很容易估計矽MOSFET元件在各種工作條件下的失效率。宜普公司的eGaN FET結構與MOSFET元件有很大的區別,因此劣化機制也大不相同。由於我們的氮化鎵技術採用全新半導體材料,適用於矽元件的增速因素不一定適用於氮化鎵元件。宜普公司定期發佈不同階段的可靠性測試報告,從而給用戶提供越來越多、更權威的詳細統計資料。所有報告可以在eGaN FET可靠性網頁找到。宜普公司將繼續從測試中取得失效機制的資料並向客戶發佈。