EPC GaN FETs and ICs Applications

應用


如果你擁有“最理想”的功率開關,你將如何利用它來實現你的設計?

由於氮化鎵場效應電晶體 (eGaN® FET)為更高效器件,可為工程師締造機會,利用這種器件廣泛地替代功率MOSFET及LDMOS電晶體。

對功率開關的要求:

  • 更低導通阻抗
  • 更快速開關
  • 更少電容
  • 更小的占板面積

更低導通阻抗及更快速開關是因為器件結構具卓越傳導性能:
由於電子被困於二維電子氣(2DEG),因此具有卓越傳導及高速性能。這是氮化鎵場效應電晶體(eGaNFET)的特性。

更少電容。。。並具卓越品質因數可實現前所未有的性能
與MOSFET器件相比,氮化鎵場效應電晶體(eGaNFET)在硬開關及軟開關的應用中具最優品質因數。

更小的占板面積。。。作最大的考慮。。。買最小的!
電路板的占板面積是非常矜貴的。氮化鎵場效應電晶體的LGA封裝具低電感、低阻抗,其占板面積小及成本也低。

氮化鎵元件的出現可替代備受尊敬但日益陳舊的矽技術及解决方案,使得我們可滿足社會對更高效電源的要求並帶領業界的發展。