EPC Gallium Nitride Automotive AEC Q101 Qualified

汽車應用領域

隨著全自動駕駛車輛和電力推進系統的出現,汽車技術進入了復興時期。這也正是矽元件在功率轉換領域接近其性能極限的時候。

為什麼氮化鎵(GaN)元件適用於汽車應用?

目前車用電子可以採用氮化鎵元件,從而實現更高的效率、更快速的開關速度、更小型化及更低的成本。與採用日益老化的矽MOSFET相比,目前已經有數種重要應用受惠於氮化鎵元件的優勢,包括:

EPC Automotive Electronics

48 V – 12 V配電系統的需求:

氮化鎵元件提高效率、縮小尺寸、更輕盈及降低成本

當考慮到如下在汽車上最新出現的、所有耗電的電動元件的功能和特性時,48 V配電系統的優勢變得更加明顯:

  • 電動啟停
  • 電動轉向
  • 電動懸掛系統
  • 電動渦輪增壓
  • 變速空調
48 V EPC GaN Automotive Applications

目前,新興的全自動駕駛車輛、額外的系統需求例如雷射雷達、雷達、相機和超聲波感測器,都增加對配電系統的整體需求。這轉化為需要高效的影像處理器來收集、解釋、整合並理解所有的輸入信號。這些處理器非常耗電及給12 V車用配電匯流排帶來額外的負擔。

面向48 V匯流排系統,氮化鎵技術提高效率、縮小尺寸及降低系統成本。

48 VBUS 的參考設計

  產品型號 描述 VIN VOUT lOUT
(A)
fSW 氮化鎵器件型號  
EPC9130 Demonstration Board
EPC9130 48 V to 12 V 非隔離型穩壓匯流排轉換器 36 - 60 12 50 500 kHz EPC2045 立即購買
EPC9205 Demonstration Board
EPC9205 100 V 功率模組 48 - 80 10 700 kHz EPC2045 立即購買

面向全自動駕駛車輛的雷射雷達

採用氮化鎵技術,可以看得更遠、更快速、更清晰

雷射雷達(LiDAR)通過非常快速地觸發雷射脈衝,從而對周圍環境製成具高解析度、360°及三維圖像。 雷射的速度對製成具極高解析度的圖像非常重要,而極高解析度的圖像是安全的全自動駕駛運輸所必需的。因此,雷射雷達的速度越快,周圍環境圖像的解析度得以越高。

與等效矽MOSFET元件相比,氮化鎵技術能夠更快速地觸發雷射信號。基於氮化鎵元件的雷射雷達使得全自動汽車可以看得更遠、更快速、更清晰,因此成為“道路的眼睛”。

LiDAR systems Silicon vs. GaN laser driver

雷射雷達演示電路設計

產品型號 描述 VBUS
最大值
VINPUT
最大值
TPin
最小值
Max Pulse (A) 氮化鎵器件型號
EPC9126 Demonstration Board
EPC9126 大脈衝電流的鐳射二極體驅動器的演示電路板 80 5 6 ns 75 EPC2016C (EPC2212) 立即購買
EPC9126HC Demonstration Board
EPC9126HC 大脈衝電流的鐳射二極體驅動器的演示電路板 80 5 6 ns 150 EPC2001C 立即購買
產品型號 配置 VDS Max
RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
典型值
(nC)
QGS
典型值
(nC)
QGD
典型值
(nC)
QOSS
典型值
(nC)
最大脈衝峰值電流 ID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
半橋式開發板
EPC2206 GaN FET
EPC2206 單路 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 聯絡我們
EPC2202 GaN FET
EPC2202 單路 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 立即購買
EPC2203 GaN FET
EPC2203 單路 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 立即購買
EPC2212 GaN FET
EPC2212 單路 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 聯絡我們

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