eGaN®與積體電路

由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)可在更高頻下工作及具備超低的導通電阻(RDS(ON)),因此它可以提高目前採用標準MOSFET產品的應用的性能,並且推動矽基FET技術所不可能實現的應用的出現。

氮化鎵積體電路(eGaN IC)進一步擴大eGaN技術與傳統矽基元件的效率差距。 eGaN IC節省佔板面積、改善效率、提高製造效率及降低系統的成本。

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宜普電源轉換公司推出了全球市場上第一款增強型氮化鎵器件。我們的氮化鎵場效應電晶體允許設計工程師採用任何電源轉換拓撲包括全橋、半橋、降壓轉換器、升壓轉換器、功率因數校正、反激式轉換器、正激式轉換器或LLC轉換器,因此可實現比矽功率MOSFET顯著增強的性能。