EPC2051: 100 V, 37 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

VDS, 100 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 1.7 A
脉衝 ID, 37 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2051 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.3 mm x 0.85 mm

應用

  • Open Rack Server Architectures (48 VIN)
  • LiDAR/Pulsed Power Applications
  • Power Supplies
  • Class D Audio
  • LED Lighting
  • Low Inductance Motor Drives

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:投產
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