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eGan 場效應電晶體
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EPC2015 - Enhancement Mode Power Transistor
V
DS
, 40V
R
DS(ON)
, 4mΩ
I
D
, 33A
RoHS, 無鹵化物
應用
高速直流-直流轉換
硬開關與高頻電路
D類音頻放大器
優勢
超高效率
超低 R
DS(ON)
超低 Q
G
超小外形尺寸
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Datasheet
EPC2015 Datasheet
2013年1月:最新的數據表刊載了VDS脈衝額定參數
演示板
EPC9001
EPC9101
Quality & Reliability
Reliability Reports
符合有害物質限制條例聲明
REACH 聲明
Application Notes
組裝eGaN® FET
速查指南 - 把eGaN FET焊接在電路板上的步驟
速查指南 - 從電路板移除eGaN FET的步驟
第二代eGaN® FET 特性
使用eGaN® FET
Design Examples
以太网供电
器件模型
PSPICE (.net)
TSPICE (.sp)
LTSPICE (.zip)
Spectre Model (.scs)
熱模型
更改產品規格通告
PCN130301 - 進一步採用氮化鈦材料阻障技術
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