元件模型

宜普電源轉換公司推出了全球市場上第一款增強型氮化鎵器件。我們的氮化鎵場效應電晶體允許設計工程師採用任何電源轉換拓撲包括全橋、半橋、降壓轉換器、升壓轉換器、功率因數校正、反激式轉換器、正激式轉換器或LLC轉換器,因此可實現比矽功率MOSFET顯著增強的性能。我們考慮到eGaN® FET必需易於使用,所以開發了一系列與矽功率MOSFET器件非常相似的氮化鎵器件。而易於使用的工具可實現全新器件的應用。宜普開發了一整套三階器件模型,工程師可以充分利用它們迅速及有效率地設計和實現各種電路設計。

工程師現在可使用宜普公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)模型並利用 National Instrument 公司的Multisim 電路模擬環境來提高設計性能。 觀看網路廣播

器件型號VDSRDS(ON)
(mΩ)
(最大值)
PSPICELTSPICETSPICESpectreAltium
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熱模型
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EPC2100308.2
2.1
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8
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