演講

6月26日 - 2018年6月29日
PCIM Asia 2018
地點:中國上海

針對大於30 W功率高度諧振無線功率接收器、內建同步整流FET的 E類整流器
講者:應用工程副總裁Michael de Rooij博士

採用肖特基二極體整流器、符合AirFuel標準的6.78 MHz高度諧振無線功率接收器的功耗高,因此並不符合很多熱量受限的產品的要求,例如筆記型電腦。我們建議針對30 W或以上的接收器,在E類拓撲採用同步整流開關GaN FET。初步的結果展示出全橋肖特基二極體整流在發送30 W功率時,溫度高達70攝氏度,系統效率為83.4%。 如果替換為內建GaN FET的E類整流器的方案,其溫度只是53攝氏度,效率則是86.1%。

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採用GaN FET、120 A、少於10納秒脈衝及佔板面積小於3平方釐米的千瓦級雷射驅動器
講者:應用工程總監John Glaser博士

雷射雷達(LiDAR)的飛行時間(ToF)測距技術是目前三維空間主要採用的高速、準確的製圖技術。雷射雷達技術主要應用於實時先進駕駛輔助系統(ADAS)及全自動汽車的導航系統及避過障礙物的技術。脈衝式雷射發射器是雷射雷達的主要子系統。發射器需要在極短速時間內–少於10納秒內–產生高功率光纖脈衝。在車輛的10秒感應及反應時間,需要300米的距離,從而需要高峰值功率。本研討會討論採用商用的單個GaN FET的雷射驅動器,可以在少於10納秒內、於超過120 A峰值電流的雷射二極體形成電流脈衝,其雷射輸入功率峰值超過4 kW。雷射驅動器的佔板面積小於3平方釐米。

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6月27日 - 2017年6月29日
PCIM Asia 2017(電力轉換與智慧運動研討會)
地點:中國上海

面向大電流及高度共振無線電源傳輸應用、使用於6.78 MHz頻率的放大器拓撲的比較
講者:應用工程副總裁Michael de Rooij博士

我們對面向無線充電應用、基於eGaN®FET及採用被實驗認證的差分模式的E類及ZVS D類放大器拓撲進行比較。該系統符合AirFuel™ Class 4 、 33 W、6.78 MHz共振技術標準,可對小型筆記型電腦供電及充電。在整個功率負載範圍內,基於兩種拓撲的放大器都可以實現超過85%效率以上而不會超過80% 的FET額定電壓或在環境溫度為25°C時,不會高於100°C的最高溫度限制。

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2017年5月16日
2017年PCIM歐洲研討會
地點: 德國紐倫堡

設計可製造、可靠的並採用晶片級封裝的eGaN® FET的PCB
宜普電源轉換公司(EPC)應用工程副總裁Michael de Rooij

與等效MOSFET相比,採用以非傳統的晶片級封裝(CSP)為LGA及/或BGA格式的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)在多種應用中不斷展示出它具備更高功率密度和更高效率。這些優勢取決於合適的佈局,從而把寄生電感減至最小。在氮化鎵電晶體首次推出市場後的7年以來,超過170億元件小時的測試後,共有127個元件失效,其中75個元件的失效原因是與不良的組裝技術或不良的PCB設計有關。設計師目前更了解PCB設計可以影響元件的製造過程,而由於eGaN FET相對地更小型化,因此更加不能容忍PCB的設計對元件的影響。本研討會提供PCB設計指導,從而發揮eGaN FET的最高性能,雖然元件的可靠性仍然依賴目前PCB的製造水準。

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2016年11月14日
グローバルみずほインベストメントコンファレンス(MIC)
地點:美国纽约市

"建立美國、日本及亞洲之間的橋樑"
講者:宜普電源轉換公司首席執行官及共同創辦人Alex Lidow博士、首席財務官Keith Adams

與高級管理團隊進行一對一的交流並討論環球能源、金融、REIT、TMT、消費及公用事業等行業的發展趨勢。

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2016年10月3日
PwrSoC國際研討會
地點:西班牙馬德里

"矽基氮化鎵技術在先進的功率轉換系統的應用"
講者:宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow博士

增強型氮化鎵功率電晶體從第一次出貨給客戶起,推出市場已經超過7年,該技術的發展速度就像矽基積體電路在初期的發展速度一樣。目前各客戶在其系統採用了矽基氮化鎵元件的相關應用包括波峰追蹤、無線充電、LiDAR、醫療成像、節能照明、太陽能逆變器、AC/DC及DC/DC轉換器等應用。這些離散式電晶體目前由數間公司製造,具備高性能及低成本等優勢。

下一個技術大躍進將會是矽基氮化鎵積體電路的發展,進一步擴大與矽MOSFET及LDMOS功率電晶體的績效差距。 本研討會將討論氮化鎵積體電路的最新發展、量化它們在各種主要應用中的優勢,以及分享進一步開發出具備更高的複雜度及功能性的設計的路線圖。

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2016年3月24日
Applied Power Electronics Conference
地點: 加州Long Beach

“面向4G蜂窩電話基站並采用氮化鎵元件的波峰追蹤電源”
講者:科羅拉多大學Yuanzhe Zhang

T本章介紹採用EPC公司的 eGaN® FET並面向4G蜂窩電話基站的波峰追蹤(ET)電源技術。專爲最優設計而開發的分析模式由採用ZVS技術的單相同步降壓轉換器證實。該模式進一步擴展至四相並用來設計出一個具備20 MHz大信號頻寬的60 W 波峰追蹤電源。 在每相開關頻率爲25 MHz下測量靜態功率級效率,峰值效率爲96.5%,在30 V實現68 W輸出功率。 實驗結果展示了具備20 MHz、7dB PAPR的 LTE 波峰追蹤電源可取得92%效率並在30 V實現62 W平均功率。

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2016年3月23日
Applied Power Electronics Conference
地點: 加州Long Beach

Technical Session: “Thermal Evaluation of Chip–Scale Packaged Gallium Nitride Transistors"
Speaker: David Reusch, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering

With power converters demanding higher power density, transistors must be accommodated in an ever decreasing board space. Beyond gallium nitride (GaN) based power transistors’ ability to improve electrical efficiency, they must also be more thermally efficient. In this paper we will evaluate the thermal performance of chip-scale packaged enhancement-mode GaN field effect transistors (eGaN® FETs) and compare their in-circuit electrical and thermal performance with state-of-art Si MOSFETs. The paper will conclude with the proposal of a thermal figure of merit for designers to use as a tool to quickly compare the thermal efficiency of device packaging technologies.

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2016年3月22日
Applied Power Electronics Conference
地點: 加州Long Beach

“面向高度諧振式無線電源傳送應用的氮化鎵積體電路(eGaN IC)”
講者:宜普公司應用副總裁Michael de Rooij博士

宜普電源轉換公司(EPC)與工程師較早前分享了氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)可實現採用不同放大器拓撲的無線電源傳送應用。 在這些應用中,由於ZVS D類放大器具備低輸出阻抗及可以在廣闊的負載阻抗範圍驅動的能力,因此這種放大器拓撲極具潛力。本研討會將介紹專為在ZVS D類放大器拓撲實現最高效率而設的氮化鎵積體電路(eGaN IC)。該積體電路採用一個半橋式拓撲及同步自舉FET, 從而把由閘極驅動器所引致的反向恢復損耗除去。

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2016年3月20日
Applied Power Electronics Conference
地點: 加州Long Beach

專業教育研討會:48 V--負載電壓:利用氮化鎵電晶體改善低壓DC/DC轉換器的性能
講者:宜普公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow博士、應用工程執行總監David Reusch博士及應用總監John Glaser博士

愈來愈多的功率轉換應用採用氮化鎵(GaN)功率半導體。 該技術發展迅猛,並且不斷累積產品經驗。本研討會討論先進的氮化鎵技術,包括氮化鎵技術的概述、氮化鎵電晶體的結構及其最新的電氣性能。

首先,我們討論氮化鎵電晶體的設計基礎,包括驅動器、佈局、並聯元件、死區時間的管理及散熱的考慮因素。設計例子將討論48 VIN–1 VOUT 網路及電訊電源應用。此外,我們比較不同結構,而且從不同方法實現48 VIN-負載的轉換中可量化及看到,氮化鎵基電晶體比矽基MOSFET所具備的各種優勢。

我們在總結部分預測這種全新技術的未來,它具備可以提高目前應用的性能的潛力,並且可以推動全新應用的出現,這是日益陳舊的矽基MOSFET所不能實現到的。最後,我們討論氮化鎵技術可以發展成為積體電路,從而進一步提高電源轉換的性能。

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2015年9月29日
Darnell’s Energy Summit
地點:美國加州洛杉磯

全會主題:"氮化鎵元件的影響:氮化鎵如何正在改變我們的生活方式?"
講者:宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow博士

增强型氮化鎵電晶體作爲商業用途已經超過6年,而且它帶領市場摒棄充電器及電綫。氮化鎵技術正在推動更快速的無綫數據傳輸、更優越的汽車及卓越的醫療保健的出現。本研討會探討氮化鎵功率元件的最先進應用及分享我們對該技術的路綫圖的見解。

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2015年9月20日 - 2015年9月24日
IEEE Energy Conversion Congress & Expo
地點: 加拿大魁北克省蒙特利爾市

"Improving High Frequency DC-DC Converter Performance with Monolithic Half Bridge GaN ICs"
講者: 應用工程總監David Reusch博士

The rapid maturation of GaN power transistors continues to enable new capabilities in high frequency power conversion. In this paper we will evaluate one of the latest technological advancements in eGaN® FETs, monolithic integration. The benefits of monolithic integration for GaN power transistors with regards to parasitic reduction, die size optimization, and thermal performance will be discussed. Experimental results for a 12 VIN to 1 VOUT buck converter operating at a switching frequency of 1 MHz and up to 40 A of output current will be demonstrated with 30 V eGaN monolithic half bridge (HB) ICs. For an 80 V eGaN monolithic HB IC, 48 VIN to 1 VOUT and 1.8 VOUT point-of-load (POL) converters will be demonstrated at switching frequencies up to 500 kHz and output currents up to 30 A.

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2015年9月6日 - 2015年9月9日
IEEE 82nd Vehicular Technology Conference (VTC2015)
地點: Boston, Massachusetts

"Automotive Compatible Single Amplifier Multi-mode Wireless Power for Mobile Devices"
講者: Ivan Chan, Field Applications Engineer

The proliferation of wireless power products for mobile applications is leading to consumer confusion and hindering adoption of this technology. A simple eGaN® FET based single amplifier topology capable of operating to all of the mobile device wireless power standards is presented. The high reliability of eGaN FETs further make this solution suitable for automotive applications. This paper presents the proposed topology with experimental verification that demonstrates excellent performance at both low frequencies (Qi & PMA standards) and high frequency (A4WP standard).

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2015年9月1日
IIC 功率管理及半導體研討會
地點:中國深圳

"基於eGaN ®FET與MOSFET並符合A4WP無綫電源第三級規範的的ZVS D 類放大器的性能的比較"
講者:陳鈺林/宜普電源轉換公司FAE經理

與採用MOSFET的放大器相比,採用eGaN FET的無綫電源傳送ZVS D類放大器當工作在寬闊的阻抗範圍內,多次展示了可以取得更高效率。本研討會將討論如何進一步改善eGaN FET的性能的方法 —利用一個與下方元件的閘極同步驅動的eGaN FET來替代高側閘極驅動器的自舉二極體。該閘極驅動器的整合式自舉二極體具有反向恢復損耗(PQRR),這是因爲在同一塊晶圓上非常困難地整合一個Schottky二極體以作爲閘極驅動器電路。 這會限制放大器的高頻性能,因爲與頻率相關的反向恢復損耗從上方的元件耗散。我們利用技術替代驅動器的內部自舉二極體及進行評估,並且對基於eGaN FET及MOSFET、符合A4WP第三級規範及工作在寬闊負載阻抗範圍內(±35j Ω)的ZVS D類放大器作出比較。結果表明,與基於等效及最優MOSFET的放大器相比,基於eGaN FET的放大器的損耗減少了15% 至48%,而該放大器可以在更寬闊(可達20j Ω)的負載阻抗範圍內工作。

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2015年6月24日 – 6月26日
PCIM Asia 2015
地點:中國上海

"符合A4WP第三級標準的無綫電源傳送應用並在E類放大器拓撲採用eGaN®FET與MOSFET的性能的比較"
講者:高級應用執行總監Michael de Rooij博士

採用eGaN FET的E類放大器拓撲並工作在on-resonance的條件下的無綫電源傳送解決方案在較早前已經表明可以取得更高效率。本研討會將討論eGaN FET如何在E類放大器並工作在很大的反射負載阻抗範圍內可以比MOSFET具備更優越的性能。大量反射阻抗是符合A4WP對無綫電源傳送的易用性的要求。符合A4WP第三級的總虛數部份非常廣闊,要求非常高的極端電壓從而取得所需的電流量。我們評估虛數部份的變化將减至0j Ω 到 -30j Ω,使3 bit的分立式自適應匹配重調電路可以控制整個符合A4WP標準的+10jΩ 到 -150jΩ的範圍。我們將比較採用eGaN FET與等效MOSFET的放大器的性能。

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2015年5月21日
PCIM EU
地點:德國Nuremberg

“採用eGaN® FET與MOSFET並符合A4WP Class 3 標準的ZVS D類放大器在性能方面的比較”
講者:宜普電源轉換公司高級應用執行總監Michael de Rooij博士

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2015年5月20日
PCIM EU
地點:德國Nuremberg

“面向汽車應用的增强型氮化鎵電晶體”
講者: 宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow博士

增强型氮化鎵電晶體投產已經五年。由於氮化鎵技術漸趨成熟,因此多種汽車應用已經採用它,包括在駕駛座位可實現無綫充電、LiDAR感測及EV充電等應用,並且將會有更多其他不同的應用陸續出現。本研討會將討論目前及將來採用氮化鎵技術的各種汽車應用,以及採用氮化鎵技術的電動與混合動力車的馬達驅動器。最後,我們會討論在每種應用中採用氮化鎵技術的時間及其附加價值。

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2015年5月20日
PCIM EU
地點:德國Nuremberg

“採用氮化鎵場效應電晶體的高功率、已調節型1/8磚式DC/DC轉換器”
講者:宜普電源轉換公司應用總監John Glaser博士

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2015年5月19日
PCIM EU
地點: 德國Nuremberg

“具備更高的DC/DC效率及功率密度的單片式氮化鎵積體電路”
講者: 宜普電源轉換公司應用總監David Reusch博士

功率轉換器恒常地改善並邁向實現更高的輸出功率、效率及功率密度。要實現更高的性能需要更好的功率元件。由於矽技術已經非常成熟及接近其理論上的性能極限,它在性能方面的改善已經變得緩慢。 氮化鎵(GaN)元件在各種功率轉換應用中有可能替代矽元件,並且推動以前不可能實現的全新應用的出現。我們在本研討會討論氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的最新發展,包括與工程師分享最新一代分離式元件的一個重大改善,並且介紹具備無可匹敵的高頻性能的最新單片式半橋IC系列。 這些全新產品系列與日益陳舊的功率MOSFET的績效差距正在逐漸擴大,尤其是在高頻功率轉換應用中,氮化鎵技術在主要的開關品質因數(FOM) 具備極大優勢、繼續減低電路中的寄生電感及改善元件的散熱性能。

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2015年5月11日星期一 -- 2015年5月13日星期三
ISPSD 2015
地點: Hong Kong

“氮化鎵電晶體使摩爾定律復活”
全體會議主講嘉賓:宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow博士

增強型氮化鎵電晶體已經作商業用途超過五年並支持很多以前被舊有矽功率MOSFET壟斷的應用。本研討會將討論先進氮化鎵技術的進程及預測它在未來幾年內如何在功率半導體領域使摩爾定律復活。 我們也將列舉氮化鎵元件在性能、成本及可靠性方面超越矽元件的優勢。

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2015年3月15日星期日 - 2015年3月19日星期四
APEC 2015
地點: Charlotte, NC

“低壓氮化鎵元件—初期採用氮化鎵元件的應用及元件的可靠性”
Industry Session講者: 宜普電源轉換公司共同創辦人兼首席執行長Alex Lidow博士

本研討會將展示採用最新一代氮化鎵電晶體的新興應用如D類音頻放大器、光學遙感技術(LiDAR)、無線電源傳送及射頻波峰追蹤等應用的優勢。從這些應用的發展可以看到業界從功率MOSFET元件及LDMOS轉用氮化鎵(GaN)電晶體的步伐正在加速。 我們也將展示氮化鎵元件在通過驗證測試及加速壽命測試後的最新可靠性測試結果。

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“基於eGaN® FET並面向高度諧振無線電源傳送應用的ZVS電壓模式D類放大器拓撲”
Technical Session 講者: 應用工程行政總監Michael de Rooij博士

在過去幾年間,工作在6.78 MHz頻率並採用鬆散耦合線圈的高度諧振無線電源傳送系統日益普及,備受歡迎。本研討會將探討ZVS電壓模式D類放大器拓撲及對採用eGaN FET與MOSFET的系統性能在多方面作出比較,包括電源峰值、負載變化性能、負載調節性能、外來金屬物對器件性能的影響及如何調教發射線圈以在整個負載範圍內實現最高性能。我們用實驗證明這些比較結果,分別使用兩種不同的線圈組:A4WP第三級發射線圈與第三類接收線圈組,以及WiTricity線圈組。我們將在研討會的最後部分總結並分享支援實驗結果的憑據--在無線電源傳送應用中,ZVS D類放大器拓撲比其他拓撲尤為優勝。

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“如何有效地並聯氮化鎵電晶體以支持多種大電流及高頻應用”
講者: 應用總監David Reusch博士

由於基於氮化鎵(GaN)的功率元件具備工作在矽功率MOSFET無法實現的效率及開關速度,因此氮化鎵元件被迅速採納。 本研討會將探討在需要更高輸出電流的應用並聯這些高速氮化鎵電晶體、電路內寄生電感對性能的影響及建議可改善並聯高速氮化鎵電晶體的性能的PCB佈局。我們將展示採用最優化佈局、並聯四個半橋元件在一個48 V轉12 V、480 W、300 kHz、40 A的單相降壓轉換器,在35% 至100% 的負載範圍內可實現超過96.5%的效率。此外,我們將討論eGaN® FET的最新發展情況包括可應付更大電流的第四代氮化鎵元件。

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2015年3月11日
Compound Semiconductor International Conference
地點:德國慕尼黑

全會議題:摒棄封裝從而降低氮化鎵電晶體的成本
講者:宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow博士

在開關功率電晶體的領域裡,電晶體的封裝常常降低元件的性能及增加成本。一般來說,客戶投訴電晶體的封裝的主要原因有五個方面:1)封裝的佔板面積過大;2)封裝增加的電阻太大;3)封裝增加的電容太大;4)封裝增加的熱阻太高;及5)封裝增加的成本過高。在本研討會我們討論為什麼所有設計工程師不要把電晶體放進封裝內並轉用使用晶片規模LGA的氮化鎵電晶體,這樣可以解決以上的各項問題。

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2014年9月23日 - 2014年9月25日
Darnell Energy Summit
地點: 佛吉尼亞州里士滿市(Richmond)

全會議題:氮化鎵電晶體給摩爾定律注入新生命
講者: 宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow博士

增強型氮化鎵電晶體的商用化超過四年並已經滲透許多早前採用日益陳舊的矽功率MOSFET器件的應用。 本演講將討論先進氮化鎵技術及預期它在未來數年的 演進,展示出摩爾定律活現於功率半導體技術領域。我們也會展示在新興應用如 D類音頻放大器、光學遙感技術(LiDAR)、無線電源傳送及射頻波峰追蹤等應用採用最新世代的氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)可實現的優勢。這些實例皆表明氮化鎵電晶體替代功率MOSFET器件及LDMOS器件的趨勢發展迅猛。

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教育研討會議題:氮化鎵電晶體實現高效功率轉換
講者: 宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow博士及應用總監David Reusch博士

氮化鎵器件在許多功率轉換及射頻應用中漸漸備受採納。這種技術快速開發並不斷累積在產品方面的經驗。 Alex Lidow博士將于本研討會首先討論氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)如何工作及分享眾多全新先進技術的最新發展步伐,包括最新製造技術、不同器件在成本方面的要求及比較、器件的可靠性資料及縮短學習曲線的因素。

研討會的第二部分由David Reusch博士講解如何使用這些高性能器件, 包括考慮驅動器、版圖、熱管理等因素從而實現高性能及高頻電源轉換。此外,我們將討論應用實例如高頻波峰追蹤(ET)、D類音頻放大器、射頻放大器、直流-直流轉換器及無線電源傳送。最後,我們以展望這種相對地年輕的技術的未來發展作結。

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技術研討會議題:採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)使得高頻硬開關轉換器更先進
講者 : 宜普電源轉換公司應用工程副總裁Johan Strydom博士

氮化鎵場效應電晶體的硬開關時間在亞納秒範圍內,使得功率設計工程師的可用開關頻率範圍推至數十MHz頻率範圍。此外,其slew rate可高達75V/ns,致使系統性能上的限制延至功率器件以外的周邊元件及版圖的寄生電感。本研討會將討論部分限制並展示最新的氮化鎵電晶體在高頻硬開關功率應用的性能如射頻波峰追蹤可實現傳統矽MOSFET器件現在所不能實現的效率。

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技術研討會議題:採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)在6.78 MHz頻率使用E類放大器拓撲及ZVS D類放大器拓撲的無線電源傳送應用的性能比較
講者: 宜普電源轉換公司應用工程執行總監Michael de Rooij博士

根據A4WP標準、工作在6.78 MHz的高度諧振無線電源傳送應用在過去幾年間變得非常受歡迎。 我們在本研討會將比較兩個受歡迎並採用氮化鎵場效應電晶體而的拓撲:單終端 E類放大器及ZVS D類放大器拓撲。我們對器件的峰值功率性能、不同負載性能、負載調製性能及外來金屬物體對器件性能的影響作出比較。我們使用相同發射及接收線圈組對是次比較作實驗性證明。

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技術研討會議題:氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)推動直流-直流轉換器的發展
講者: 宜普電源轉換公司應用工程總監David Reusch博士

氮化鎵場效應電晶體繼續提高功率轉換性能基準並改善器件在高功率密度及大電流應用的性能。本研討會將討論採用氮化鎵場效應電晶體的非隔離型及隔離型直流-直流轉換器的最新發展,包括在大電流應用如何高效地並聯氮化鎵器件的技術、高功率密度氮化鎵的發展基石及最新一代氮化鎵器件所取得的主要改善。全新氮化鎵電晶體系列活現摩爾定律,在主要的開關品質因數取得重大增益,使得其性能在高頻功率轉換應用進一步拋離對手 -- 日益陳舊的功率MOSFET器件。

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2014年9月4日
IIC China 功率管理研討會
地點: 中国深圳

"電源管理及功率半導體:第四代氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)"
講者: 宜普電源轉換公司亞太區FAE總監鄭正一

我們將在本研討會探討採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的直流-直流轉換器應用的最新發展,包括研究新一代氮化鎵器件在性能上所取得的重大改進。第四代氮化鎵器件系列使得摩爾定律復活,由於這些器件在主要開關品質因數方面取得重大增益,因此在高頻功率轉換領域全新的氮化鎵場效應電晶體於性能上可進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。我們將演示的轉換器包括工作在1 MHz開關頻率、取得超過91.5%效率的12 V轉至1.2 V、40 A的負載點(POL)轉換器, 以及工作在300 kHz開關頻率、取得超過98% 效率的48 V轉至12 V、30 A的非隔離型直流-直流中間總綫轉換器。

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2014年9月3日
IEEE PELS Webinar
地點: IEEE PELS Webinar 系列

"給波峰追縱降壓轉換器應用的氮化鎵場效應電晶體"
講者: 宜普電源轉換公司應用工程副總裁Johan Strydom博士

離散型氮化鎵(GaN)功率器件提供比MOSFET器件更卓越的硬開關性能,以及如果需要達到系統的頻寬要求,這些氮化鎵器件對於給波峰追縱應用的開關轉換器的開發尤爲重要。該系統性能受到有源功率器件以外的因素所影響,例如高速閘極驅動器及印刷電路板的版圖。是次研討會將討論於數個工作在數MHz的降壓轉換器所采用的矽基高頻增强型氮化鎵功率電晶體((eGaN® FET)系列的最新發展、不同系統級的寄生電感及基於實驗結果,評估它們所帶來的影響。

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2014年8月26日
Wireless Power World 2014
地點: 中國上海

"基于氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)幷采用全新零電壓開關D類放大器拓撲的無綫電源傳送應用"
講者: 宜普電源轉換公司産品應用副總裁Johan Strydom博士

在過去幾年間,高度諧振、使用鬆散耦合綫圈幷在6.78 MHz頻率下工作的無綫電源傳送系統日漸廣受歡迎。是次研討會將探討在給定的綫圈系統下,對採用MOSFET器件及氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)幷使用E類放大器拓撲及使用全新零電壓開關(ZVS)、電源模式的D類放大器拓撲進行比較。我們分別對器件在峰值功率、不同負載、負載調製等各方面性能及其他金屬物對電晶體的影響作出比較,幷進一步使用CAT3負載綫圈對各個符合A4WP第三等級效率器件所得的結果作出比較。

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2014年8月7日
PSMA Webinar
Location: PSMA Roadmap Presentation

"氮化鎵電晶體爲摩爾定律注入新生命"
講者: 宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow博士

爲功率MOSFET的替代器件,增强型氮化鎵電晶體的商用化已經有四年多幷進駐了很多以前被矽功率MOSFET器件獨佔的應用。本研討會將討論先進氮化鎵(GaN)技術及預計它於未來數年間的進程:在全球功率半導體技術的應用領域,氮化鎵器件使得摩爾定律復活。我們也將展示在新興應用新一代氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)的優勢,包括D類音頻放大器、LiDAR、無綫電源傳送及射頻波峰追縱等應用。所有的範例都支持功率MOSFET及LDMOS的使用者逐步轉用氮化鎵電晶體。

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2014年6月17日星期二
PCIM Asia 2014
地點: 中國上海

"在採用E類放大器拓撲的低功率及高頻無線電源轉換器對eGaN®FET的性能進行評估"
演講者: 宜普公司應用工程執行總監Michael de Rooij博士

EPC之前已展示了氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)可推動採用D類系統的無線電源傳送應用實現超過70% 的效率。我們將進一步展示與D類系統相比,如果使用相同線圈及器件負載,氮化鎵場效應電晶體在E類無線系統可改善效率達20%。 該設計也可配合使用鬆散耦合線圈並在6.78 MHz的ISM頻帶工作。

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2014年6月1日星期日至2014年6月6日星期五
International Microwave Symposium
地點: 美國佛羅里達州Tampa Bay

"基於氮化鎵器件的電源供電及電源調製器可調製供電以提高射頻功放效率"
演講者: 宜普公司應用工程執行總監Michael de Rooij博士

增強型氮化鎵場效應電晶體是通常處於斷開狀態的開關並在許多功率管理的應用中可替代矽功率MOSFET器件。 這種寬頻隙(WBG)物料具快速開關特性,加上沒有反向恢復特性,因此在開關直流-直流供電應用可實現更高效率及更高功率密度。

本演講將介紹氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET) 的特性,以及在實現靜態開關電源時與目前矽功率MOSFET器件的比較。我們會著重探討實現基於氮化鎵器件(eGaN)的直流-直流功率轉換器並凸顯在設計波峰追蹤應用及其他射頻功放負載應用時所要面對的挑戰。

此外,我們將分享最佳實踐的設計過程、器件在尺寸方面的考慮因素及準確預測負載要求。參加者可在研討會獲得氮化鎵場效應電晶體的優勢的廣泛知識,以及射頻功放供電時在功率管理電路懂得使用主要設計參數實現最優性能。

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2014年5月20日星期二至2014年5月22日星期四
PCIM Europe
地點: 德國Nuremberg

"在波峰追蹤應用採用氮化鎵場效應電晶體、於數MHz頻率工作的降壓轉換器"
講者: 宜普電源轉換公司應用副總裁Johan Strydom博士

氮化鎵分立器件可在slew rate高達70V/ns時開關,而系統性能受到有源功率器件以外的因素影響包括高速閘極驅動器及印刷電路板的版圖。 是次演講將展示於數MHz頻率工作的降壓轉換器採用最新高頻、增强型氮化鎵功率電晶體(eGaN® FET)産品系列的效果。 我們設計這些全新器件專爲不可以使用分立矽MOSFET器件的高頻硬開關功率應用而設, 因此可以推動需要在高壓下需要高頻的波峰追蹤應用。我們將展示數個於電壓達42 V、輸出功率達40 W、10 MHz頻率下工作的降壓轉換器,幷討論分立器件在該工作條件下開關所受的限制。

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"基於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)幷使用不同拓撲的無綫電源傳送放大器在性能方面的比較"
講者: 宜普電源轉換公司應用工程執行總監Michael de Rooij博士

相比採用等效MOSFET器件的無綫電源轉換系統,之前我們已展示了氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在使用經典的電壓模式D類放大器的無綫電源轉換系統可實現超過70%峰值效率,以及其總效率可高出4%。本研討會將討論採用氮化鎵場效應電晶體、使用不同拓撲的放大器,在高度諧振無綫電源轉換應用,在效率及對不同負載和綫圈耦合敏感度方面的比較,這些拓撲包括電流模式D類放大器、單終端E類放大器及新穎的高效電壓模式D類放大器。 每一種使用相同發射綫圈、接收綫圈及整流器的拓撲都經過實驗性測試。實驗性裝置使用鬆散耦合綫圈、工作在6.78 MHz頻率(ISM 頻帶)及不同拓撲可傳送達15 W至30 W功率。 放大器的設計著重如何使得器件參數如COSS 等被綫圈或匹配網絡吸收功率。

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"在大電流應用提高幷聯工作、具高速開關的氮化鎵電晶體的性能"
講者: 宜普電源轉換公司應用工程總監 David Reusch博士

氮化鎵(GaN)功率器件得以被迅速採納,因爲它們的工作頻率及開關速度是矽功率MOSFET器件所不能及的。本研討會將討論在需要更高輸出電流的應用幷聯高速氮化鎵器件。此外,我們將討論電路中的寄生電感如何影響性能及建議如何選用印刷電路板版圖來提高幷聯高速氮化鎵電晶體的性能。 我們會展示一個48 V轉至12 V、480 W、40 A的降壓轉換器,它在300 KHZ開關頻率下、採用最優幷聯版圖、在負載爲35% 至100%時可實現超過96.5%效率。

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2014年5月27日
ECTC 2014
地點: 佛羅里達州 Lake Buena Vista

"推動無綫電源傳送應用的使能技術"
講者: 宜普電源轉換公司應用工程總監 Michael de Rooij博士

關於無綫電源傳送系統的會議。

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2014年4月10日
寬能隙電力電子研發聯盟 - 寬能隙電力電子國際研討會
地點: 臺灣新竹縣

"利用氮化鎵擊敗矽技術"
講者: 宜普電源轉換公司首席執行長 Alex Lidow 博士

作爲功率MOSFET的替代器件,第一批氮化鎵場效應電晶體出現於商用直流-直流應用中已經有四年多。自此之後,氮化鎵器件的發展及商用化備受關注,技術上的進步一日千里,新産品不斷推陳而出幷看到更多即將推出的全新産品的預告篇。矽器件正在撤退。 我們將在是次演講分享氮化鎵技術的最新發展、全新及令人意想不到的應用、在市場上的最新産品資訊、氮化鎵技術未來發展的路綫圖,以及氮化鎵與功率MOSFET、碳化矽器件的相對競爭力的比較。

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2014年4月3日
GOMAC Tech
地點: 南加州Charleston

"在高頻直流-直流轉換應用采用耐輻射的增强型氮化鎵場效應電晶體"
講者: 宜普電源轉換公司首席執行長 Alex Lidow 博士

增强型矽基氮化鎵(eGaN)場效應電晶體展示了其優越性能幷同時展示了它們可以在嚴峻環境及高輻射條件下可靠地工作的性能。本研討會將討論專爲更高頻工作而設計、最新推出的增强型氮化鎵HEMT電晶體系列的性能,幷展示這些器件經過輻照後的穩定性及在高效直流-直流轉換器、10 MHz頻率下工作的優越性能。

電源轉換器件在嚴峻的工作環境下供電包括宇航、高飛行高度或高可靠性軍用等應用都必需可以抵受離子化輻射而不會損壞或發生故障。

大部份的電子元件面對在設計或製造方面不斷變化的需求來减低它們易受輻射影響而遭受破壞,因此耐輻射器件的開發步伐趨於落後於其他器件。

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2014年3月20日
Applied Power Electronics Conference and Exposition
地點: 美國Fort Worth, TX

"氮化鎵:提高電源轉換技術門檻"
講者: 宜普電源轉換公司應用總監David Reusch博士

相比矽功率MOSFET器件,由於基於氮化鎵(GaN)的功率器件具備在更高頻率及開關速度條件下工作的性能,它們迅速被採用。我們將展示增強型氮化鎵電晶體(eGaN®FET)如何在寬泛的應用中提高電源轉換效率,範圍包括從工作在10 MHz頻率下的2 A負載點轉換器至工作在300 KHz頻率下的40 A伺服器供電應用。 此外,我們將介紹為開關頻率帶來了數量級改進的全新氮化鎵場效應電晶體EPC8000產品系列,進一步提高高頻電源轉換技術的門檻。

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"設計及評估一個基于氮化鎵電晶體、工作在10 MHz頻率的42 V直流-直流轉換器"
講者: 宜普電源轉換公司應用副總裁Johan Strydom博士

由於基於氮化鎵(GaN)的功率電晶體可實現矽(Si)功率MOSFET所不能及的更高效率及更高開關頻率,因此氮化鎵功率器件日益普遍。

分立eGaN® FET可以在slew rate 40 V/ns以上開關,系統性能受到功率器件以外的因素影響如高速閘極驅動器及印刷電路板的版圖。

本研討會將探討這些限制因素幷討論全新高頻增强型氮化鎵功率電晶體系列的性能。 我們設計這些器件來支持矽MOSFET器件所不可以支持的高頻硬開關功率應用,從而推動要求在高壓時實現高頻的應用的出現。 我們將展示適用于波峰追蹤應用的一個在10 MHz工作、42 V、40 W的降壓轉換器可實現超過89%峰值效率。

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2014年3月19日
Applied Power Electronics Conference and Exposition
地點: 美國Fort Worth, TX

"對在高頻諧振及軟開關直流-直流轉換器所採用的氮化鎵電晶體進行評估"
講者: 宜普電源轉換公司應用總監David Reusch博士

基於氮化鎵(GaN)的功率電晶體的出現爲業界帶來可實現更高效及更高開關頻率的機遇,爲日益陳舊的矽(Si)功率MOSFET器件所不能提供。

本研討會將展示在諧振及軟開關應用,氮化鎵電晶體具備可提高效率及輸出功率密度的性能。我們建議一個用來與重要器件參數比較的品質因數,該參數影響諧振及軟開關應用電路中的性能,以及比較氮化鎵及矽技術。

爲了驗證增强型氮化鎵電晶體替代矽MOSFET器件的優勢,我們在一個高頻諧振轉換器、48 V轉12 V、使用非調製隔離型總綫轉換器原型、在1.2 MHz開關頻率工作、具400 W輸出功率的轉換器比較矽及氮化鎵功率器件。

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2014年3月18日
慕尼克上海電子展- 國際電力電子創新論壇
地點: 中國上海

“採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET )的無線能源傳送解決方案”
演講者: 宜普電源轉換公司亞太區FAE總監鄭正一

基於氮化鎵(GaN)的功率器件為目前矽(Si)功率MOSFET的更高效替代器件,可推動新興應用的發展如無線電源傳送應用。

在無線能源傳送應用中,我們早前已展示了基於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)的電壓模式D類系統具超過70%峰值效率,與等效MOSFET器件相比,相等於其總效率可高出4%。此外,與使用相同線圈及器件負載的D類系統相比,氮化鎵場效應電晶體在E類無線電源傳送系統的峰值效率可進一步改善達20%。 本研討會將展示全新的E類設計,可提供高達30 W功率以及工作在6.78 MHz的ISM頻帶時使用鬆散耦合線圈。氮化鎵場效應電晶體具備很多其他理想特性如具有較低封裝寄生電感,可允許E類系統實現最高電源轉換效率。

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2014年3月5日
IEEE PELS 2014 Webinar
地點 IEEE Webinar Series

"讓我告訴您氮化鎵器件如何擊敗矽器件"
演講者: 宜普公司首席執行長Alex Lidow 博士及應用總監David Reusch博士

氮化鎵器件剛剛廣為許多功率轉換及射頻應用所採納。該技術開發迅速,在市場所累積的產品經驗與日俱增。本研討會將解釋氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)如何工作並分享這種先進技術的最新發展情況。

此外,我們會展示多個應用範例包括高頻波峰追蹤(ET)、諧振直流—直流轉換及無線電源傳送應用。

研討會將以展望這種相對地較年輕的技術的未來發展作結。

觀看存檔的線上研討會

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2013年10月28日星期日
第一屆 IEEE Workshop:具寬頻隙的功率器件及應用
地點: 美國俄亥俄州哥倫布市

"增強型矽基氮化鎵電晶體可推動更高性能及全新應用的出現"
講者: 宜普電源轉換公司應用工程總監David Reusch 博士

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2013年10月11日星期五
Google + Hangout

"Digikey及宜普公司Google Hangout"

宜普電源轉換公司及Digikey公司在2013年10月11日早上10時(PST)會面,Digikey公司的Anissa Lauer與宜普公司的Alex Lidow、Michael de Rooij 及 Renee Yawger討論半導體材料的演進。宜普將展示其先進的增强型氮化鎵功率電晶體技術及如何開始利用該器件設計産品,從而在設計師的系統發揮氮化鎵電晶體的優越性能。

觀看Hangout視頻

2013年10月1日星期二
IMAPS 2013
地點: 美國佛羅里達州Orlando

"在直流-直流應用采用氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)改善系統性能"
講者: 宜普電源轉換公司應用總監David Reusch博士

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2013年6月18-20日
PCIM Asia
地點:中國上海

"於硬開關及軟開關應用使用氮化鎵場效應電晶體改善設計性能"
講者:宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士

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2013年5月13日-16日
Compound Semiconductor Manufacturing Technology Conference
地點:美國New Orleans LA

SESSION 9a: WBG 功率器件
"氮化鎵電晶體推動全新應用的出現"
講者:宜普電源轉換公司應用總監David Reusch博士

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Rump Session B: 氮化鎵希望成為十億富翁?誰可幫助提供答案?
與會者:宜普電源轉換公司應用總監David Reusch博士

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2013年5月16日
PCIM Europe
地點:德國Nuremberg

"矽基氮化鎵的技術、器件及應用"
講者:宜普首席執行長Alex Lidow 博士

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2013年4月23日
Designwest
地點:美國San Jose

"氮化鎵電晶體推動全新應用的出現"
講者:宜普電源轉換公司首席执行官Alex Lidow博士

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2013年4月8日
2013 CPES Conference Program
地點:Blacksburg, VA

"氮化鎵電晶體 – 成功與未來的挑戰"
講者:宜普公司首席執行長Alex Lidow博士

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2013年3月17日至21日
APEC
地點:美國加州Long Beach

"減小了寄生電感的高頻及低損耗eGaN轉換器設計"
主講者:宜普電源轉換公司應用工程總監David Reusch博士

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"氮化鎵場效應電晶體推動低功耗及高頻無線能量轉移轉換器的應用"
主講者:宜普電源轉換公司高級產品應用總監Michael de Rooij博士

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"在波峰追蹤應用中採用氮化鎵場效應電晶體"
主講者:宜普電源轉換公司產品應用副總裁Johan Strydom博士

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"基於氮化鎵場效應電晶體的諧振式高頻電源轉換器"
主講者:宜普電源轉換公司產品應用總監David Reusch博士

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"採用氮化鎵場效應電晶體實現高效功率轉換"
主講者: 宜普公司首席執行長Alex Lidow博士、應用行政總監Michael de Rooij 博士、應用副總裁Johan Strydom博士及應用工程總監David Reusch博士

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"APEC Rap專題討論 – Session 2: 寬頻隙的半導體-時機成熟還是有待實現的承諾?"
主持專題討論的主席:
Kevin Parmenter, Excelsys Technologies Ltd.
參加專題討論的專家:
Tim Mcdonald, International Rectifier
Dr. Alex Lidow, CEO of EPC Efficient Power Conversion
Dr. Dan Kinser, CTO Fairchild
Dr. Primit Parkh, CEO Transphorm
Dr. John Palmour, CTO of CREE
Greg J. Miller Sr., Vice President - Applications Engineering at Sarda Technologies, Inc.

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2013年3月11日至14日
GOMAC 技術研討會 — 宜普公司議題的摘要
地點:美國拉斯維加斯

"在直流-直流轉換器中採用具備卓越耐輻射性能的氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)"
講者:宜普電源轉換公司Johan Strydom博士及Microsemi公司Tom Gati

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2012年11月16日
臺大國際論壇
地點: 臺大電機系博理館101會議室

"氮化镓電晶體所带领的全新應用的出现"
講者: 宜普公司首席執行長Alex Lidow博士

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"如何使用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)"
講者: 宜普電源轉換公司亞太區FAE總監Peter Cheng

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2012年10月25日

"PSMA 電源技術發展網上研討會 - 採用氮化鎵場效應電晶體的解決方案"
主讲者: 宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow博士
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2012年10月7日至12日
ECS – PriME 2012

"在低功耗無線電源轉換器中的eGaN場效應電晶體"
講者: 宜普電源轉換公司應用工程總監Michael de Rooij博士

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2012年9月19日至21日
Darnell’s Power Forum
地點:美國加州 SanJose

"氮化鎵電晶體的新興應用"
講者: 宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow博士

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"通過氮化鎵電晶體啟動波峰追踪功能"
講者: 宜普電源轉換公司應用工程副總裁Johan Strydom博士

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"使用氮化鎵場效應電晶體的隔離型直流-直流轉換器"
主講者: 宜普電源轉換公司應用工程部副總裁Johan Strydom博士

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"在工程師所設計的電源應用中成功使用氮化鎵器件"
講者: Embedded Power Labs 公司 Robert V. White

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圓桌會議議題
"當我們達到最高效率時,下一個目標是什麼?"
宜普公司代表: 首席執行長Alex Lidow博士

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2012年5月22日
Credit Suisse Private Semi Conference

"推動高效電源轉換的氮化鎵電晶體"
講者: Alex Lidow博士
地點:加州三藩市

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2012年4月23日
CS Mantech

"推動高效電源轉換的氮化鎵電晶體"
講者:Alex Lidow博士
地點:馬塞諸塞州波士頓市

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2012年3月22日
GOMAC Tech Conference

"耐輻射的增強型氮化鎵場效應電晶體的特性"
講者:Alex Lidow博士
地點:內華達州拉斯維加斯市

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2012年2月23日
第十七屆國際積體電路研討會(IIC China 2012)

"eGaN® FET 的科技發展"
主講者 :宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow博士
地點 :中國深圳會展中心

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2012年2月9日
Applied Power Electronics Conference

"並聯氮化鎵場效應電晶體"
講者:Alex Lidow博士
地點:佛羅里達州奧蘭多市

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2012年2月5日
Applied Power Electronics Conference

"在供電應用如何使氮化鎵器件發揮其性能"
講者:Robert V. White(科羅拉多州Highland Ranch的
地點:佛羅里達州奧蘭多市

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2011年12月1日
中國電子設計雜誌 - 2011年度中國創新科技論壇及頒獎典禮

"eGaN®FET 的科技發展 - 應用於高效DC-DC轉換器"
主講者: 宜普公司亞太區銷售副總裁曾海邦先生
地點: 中國上海

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2011年10月11日
IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting

"電源轉換器件 - 矽器件已經走到盡頭嗎?"
講者: Alex Lidow
地點:Atlanta, Georgia

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2011年10月13日
ECS Meeting and Electrochemical Energy Summit

"高效電源轉換系統 - 氮化鎵場效應電晶體與矽MOSFET器件的比較"
講者:Alex Lidow 博士
地點:Boston, Massachusetts

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2011年9月26日
Darnell’s Power Forum

"氮化鎵場效應電晶體在高頻電源轉換條件下工作"
講者:Alex Lidow 博士
地點:San Jose, CA

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2011年9月17日至22日
ECCE 2011: IEEE Energy Conversion Congress & Exposition

"在功率管理領域替代矽器件的氮化鎵技術"
講者:Alex Lidow 博士
地點:Phoenix, AZ

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2011年6月22日
PCIM Asia 2011;功率電子/智能運動/電源質量

"在高性能功率轉換系統驅動氮化鎵場效應電晶體( eGaN® FET) "
講者 :宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow 博士
地點 :中國上海

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2011年5月11日
IBM Power Symposium

"採用氮化鎵場效應電晶體、具高降壓比的降壓轉換器"
講者:Alex Lidow博士及Johan Strydom 博士
地點:Raleigh, NC

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2011年3月24日
GOMAC Tech Conference

"在長期應力下的eGaN特性"
Alexander Lidow; 宜普電源轉換公司首席執行長
J. Brandon Witcher; Senior Member of the Technical Staff, Sandia National Laboratories
Ken Smalley; Microsemi 公司産品工程師

作為矽功率MOSFET的替代品 - 矽基氮化鎵(eGaN)增強型HEMT電晶體,其商業應用已經超過一年多。它的卓越導通性能和開關特性使設計師可以很大幅度地減少系統功率損失、體積、重量和成本。eGaN電晶體可以利於軍事和宇航應用,但元件必須可靠地在嚴苛環境條件下工作。本文展示了這些元件在高溫和暴露在輻射環境下也能穩定地工作。

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2010年10月12日
GOMAC Tech Conference

"電源轉換器件 - 矽器件已經走到盡頭嗎?"
講者:Alex Lidow博士

Alex Lidow博士在IEEE SCV Electron Devices Society (EDS)演講。

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