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eGaN FET乃電源轉換效率領域中的先進元件。它能夠為業界締造全新性能基準的其中一個要素, 是採用了晶片級LGA(柵格陣列)封裝。這種封裝可以減小電路板的面積、雜散電感和寄生電阻。以下文檔將介紹如何在印刷電路板上裝配這些使用LGA封裝的元件。

宜普公司的eGaN FET可以幫助電子設計工程師,使用任何電源轉換拓撲(包括全橋、半橋、降壓轉換器、升壓轉換器、功率因素校正、反激式轉換器、正激式轉換器和LLC轉換器)實現比矽功率MOSFET顯著更強的性能。