Application Notes & White Papers

• 矽功率MOSFET在電源轉換領域的發 展已經走到盡頭了嗎？
• 氮化鎵（GaN）技術概論
• 氮化鎵功率電晶體的基礎
• eGaN FET 電學特性
• 第二代eGaN® FET 特性
• 参數特徴指南
• 直視特徴指南
• eGaN® FET 的熱性能表現
• 氮化鎵場效應電晶體的安全工作區域
• 使用eGaN® FET
• 使用元件模型的模擬电路
• 組装eGaN® FET
• 速查指南 - 把eGaN FET焊接在電路板上的步驟
• 速查指南 - 從電路板移除eGaN FET的步驟
• 白皮書：設計時使用氮化鎵場效應電晶體所需考慮的驅動器及版圖
• 于高性能電源轉換系統中驅動eGaN FET
• White Paper : Paralleling eGaN FETs
• 白皮書：採用基於氮化鎵場效應電晶體的降壓轉換器樹立直流-直流轉換效率的基準
• 白皮書：內含氮化鎵場效應電晶體的高效直流-直流電源轉換器
• 白皮書：使用氮化鎵場效應電晶體改善直流-直流正激式轉換器的效率
• 白皮書：使用氮化鎵場效應電晶體改善直流-直流反激式轉換器的效率
• 使用eGaN® FET 的48V- 1V直流-直流電源轉換
• 使用eGaN® FET 的24V- 1V直流-直流電源轉
• 使用eGaN® FET 的12V- 1V直流-直流電源轉換
• 白皮書：寄生電阻對基於氮化鎵場效應電晶體及MOSFET的負載點降壓轉換器性能的影響
• 白皮書：採用氮化鎵場效應電晶體優化印刷電路板的版圖
• 白皮書：選擇氮化鎵場效應電晶體的最低導通電阻
• 白皮書：優化死區時間以取得最高效率
• 白皮書：在波峰追蹤的應用採用氮化鎵`場效應電晶體
• 白皮書：在無線電源傳送的應用採用氮化鎵`場效應電晶體
• 白皮書：在高頻諧振轉換器的應用採用氮化鎵`場效應電晶體

文章

• 06/2013: 氮化鎵功率器件進入生產階段
• 06/2013: 無封裝高電子遷移率電晶體可實現高效電源轉換
• 06/2013: 全新矽器件：宜普公司首席執行長談論為何氮化鎵器件將成為未來的電源管理器件
• 06/2013: 如何使用GaN（氮化鎵）: 氮化鎵電晶體技術專論
• 05/2013: Exploring gallium nitride technology
• 03/2013: 非常高共振頻率的無線電源傳送系統解構
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度
• 矽、氮化鎵與碳化矽器件的比拼：我的功率設計應該選用哪一個製程及供應商？
• 03/2013: {PODCAST} Paultre on Power – Power GaN
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度
• 矽基氮化鎵場效應電晶體促進全新應用的出現
• nPower ® PEG充電器採用宜普的氮化鎵技術替People-Power的移動器件充電
• 氮化鎵場效應電晶體封裝的先進性和熱建模分析
• Power Views雜誌2012年7月刊: 氮化鎵電晶體已經準備好在這個黃金時間搶攻市場嗎?
• 內含高效氮化鎵場效應電晶體的八分之一磚直流-直流電源轉換器 (www.bodospower.com)
• 測試設備必須跟上全新的大功率半導體發展步伐
• 表徵大功率半導體需要採用新的技術
• 市場對增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET) 優勢的認同 - IIC 2012 專訪
• 增强型氮化鎵場效應電晶體如何展現其超卓能力？
• 12/2011: Gallium nitrde based devices set to bring substantial boost to power efficiency
• 訪問宜普首席執行官Alex Lidow
• 如何使用eGaN FET從交流電源轉換出1V以下的電壓?
• 應用於筆記型電腦的直流-直流轉換器的設計
• 專為eGaN場效應電晶體而設的閘極驅動器
• 06/2011: Industry’s first eGaN FET Driver Simplifies Switching Design
• 02/2011: An interview with Alex Lidow on GaN Developments
• 含eGaN®元件的高降壓比降壓轉換器
• 驅動eGaN® FET
• 10/2010: {VIDEO} Interview with CEO Alex Lidow
• 怎様去理解eGaN® FET 的可靠性？
• eGaN®功率電晶體 - 電源轉換的新領域
• 03/2010: Enhancement Mode Gallium Nitride Transistor Delivers Impressive Performance
• 氮化鎵可以替代矽功率元件吗？

Power Electronics Technology eGaN® FET-Silicon Power Shoot-Out Series

• eGaN® 比拼第一部分：品質因數
• eGaN比拼第二部分：驅動器及版圖
• eGaN® Shootout: 第3部分：以太網供電
• eGaN® Shoot Out 第4部分 - 隔離型磚式轉換器
• eGaN Shootout第5.1部分 : 並聯氮化鎵場效應電晶體
• eGaN Shootout第5.2部分 : 並聯氮化鎵場效應電晶體
• eGaN Shootout: 第六部份: 以太網供電及供電設備轉換器
• eGaN 產品比拼:第七部分 - 應用於降壓轉換器
• eGaN産品比拼第八部份－波峰追踪
• -第九部份eGaN產品比拼:無線電源轉換器
• eGaN FET比拼第十章:應用於高頻諧振轉換器
• 氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第十一部分:優化場效應電晶體的導通電阻
• 氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第12章 – 優化死區時間
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）與矽功率器件比拼第十三章、第一部分： 寄生電感對採用不同器件的轉換器在性能方面的影響
• 氮化鎵器件與矽功率器件比拼第十三章第二部分：最優化的印刷電路板版圖
• 氮化鎵場效應電晶體的小信號射頻性能