宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵電源管理元件的全球領先供應商，我們也是第一間公司推出增強型矽基氮化鎵場效應電晶體，為電源管理應用中矽功率MOSFET的替代元件，其性能比最優異的矽功率MOSFET更超卓數倍。宜普公司的產品系列應用於各個領域包括負載點轉換器、以太網供電、電腦市場的服务器及直流-直流轉換器、LED照明、手機、射頻傳送、太陽能微型逆變器及D類音频放大器等。

宜普電源轉換公司是由三位工程師在2007年11月創建。他們在先進功率管理元件方面一起共集結了60年相關的豐富經驗。

宜普公司的首席執行長Alex Lidow是HEXFET® 功率MOSFET的共同發明者之一。除了曾負責研發及製造等職務，Alex Lidow曾任职国际整流器公司首席执行長12年。35年多以來，Alex的使命是致力開發全新半導體，以提高我們高效轉換和使用能源的能力。

在宜普公司成立之初，三位創始人就清楚地認識到矽產品已經達到了性能極限。同时，可能替代矽產品的就是氮化鎵元件，但那個時候它在成本和元件功能方面還是存在著很大的問題。最初的宜普團隊誓言要開發以高成本效益的GaN產品來替代功率MOSFET，這需要在製造、材料科學和元件物理性能方面作出重大創新。

宜普公司在2009年6月推出了首批商用增強型GaN電晶體(eGaN®)，該產品在臺灣的一家低成本代工廠製造,而這家工廠以前一直在生產標準矽CMOS產品。

隨著這個里程碑時刻的到來，宜普和整個電源管理行業開始了新的征程有望為使用者帶來具附加值的全新設計功能。

在要求更高效率、更小體積或更高工作頻率的應用中，eGaN FET將會很快取代傳統的功率MOSFET。宜普作為首家在市場上推出eGaN FET的公司,將繼續帶領eGaN FET的發展，為電源系統設計工程師提供矽功率MOSFET無法實現的性能。