採用晶片級封裝的氮化鎵（GaN）電晶體改善系統的熱性能 Posted 2016年10月31日 隨著功率轉換器需要更高的功率密度，電晶體必須配合不斷在縮減的電路板面積。氮 化鎵（GaN）功率電晶體除了可以提高電源效率外，它們也必須具備更高的熱效率。在 這篇文章中，我們探討採用晶片級封裝的增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN ®FET） 的熱性能，並與最先進的Si MOSFET比較兩種元件的電氣性能和熱性能。 Bodo's China 2016年10月 閱讀全文 相關的熱門文章 Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors 採用晶片級封裝的氮化鎵元件熱建模 GaN HEMT Package Improves Paralleling Of Devices In Space Power Applications Power Packaging for the GaN Generation of Power Conversion Better thermal management of eGaN FETs