GaN 的功率和演變- 第5部分:採用eGaN FET和積體電路構建低成本、高效的12 V - 1 V 負載點轉換器 Posted 2019年1月23日 氮化鎵元件對提升主流應用的效率的貢獻很大,例如在傳統矽基12 V - 1 V負載點 DC/DC轉換器。基於eGaN積體電路的12 V轉到1 V、12 A負載轉換器在5 MHz的頻率下,可以實現78%峰值效率及1000 W/in3 功率密度,而成本則低於每瓦0.2美元。 Power Systems Design 2019年1月 閱讀文章 相關的熱門文章 The Power and Evolution of GaN, Part 6: GaN Technology Adoption and Roadmap 氮化鎵的強大推動力及演進 - 第四章:eGaN FET和積體電路為手術用的機械人帶來精准的控制 Powering graphics processors from a 48-V bus The Power and Evolution of GaN, Part 3: How to Build an Ultra-Fast High-Power Laser Driver using eGaN FETs - That Sees Farther, Better, and at a Lower Cost! 氮化鎵的雷霆威力及演變