EPC2202:面向車載應用的80 V、75 A增強型氮化鎵功率電晶體

VDS, 80 V
RDS(on), 17 mΩ
ID, 18 A
脈衝電流 ID, 75 A
AEC-Q101認證

EPC2202 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 2.1 mm x 1.6 mm

應用

  • 雷射雷達/脈衝功率應用
  • 48 V配電系統
  • 具高保真度的資訊娛樂設備
  • 高強度的頭燈
  • DC/DC 轉換器
  • 隔離式DC/DC轉換器
  • 無刷DC馬達控制器
  • 面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:已提供新型元件(NDO)
面向新設計,EPC 氮化鎵專家推薦EPC2252NDO(已提供新型元件):這是前代元件,雖然您仍然可以採用,但請使用我們推薦的新型元件 - 它的價格更好和在大多數應用中性能更高。
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教