EPC9001C:開發板

EPC9001C : 40 V 半橋開發板

EPC Development Board

EPC9001C開發板具40 V最高器件電壓、15 A最大輸出電流、採用半橋拓撲及板載驅動器幷採用EPC2015C增强型(eGaN®)場效應電晶體。

開發板旨在通過把所有重要元件集結在單板上幷易于與任何現有的轉換器連接,從而簡化對EPC2015C氮化鎵場效應電晶體進行評估的流程。

產品狀況:停產產品
面向新設計,EPC 氮化鎵專家推薦EPC90132
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* 假設電感式負載,最大電流取決於晶片的溫度--實際最大電流取決於開關頻率、匯流排電壓及散熱效率。
# 受限于需要“更新”高側自舉電源電壓的時間