EPC9003C:開發板

EPC9003C – 200 V 半橋開發板

EPC9003C開發板具200 V最高器件電壓、5 A最大輸出電流、採用半橋拓撲及板載驅動器幷採用EPC2010C增强型(eGaN®)場效應電晶體。

開發板旨在通過把所有重要元件集結在單板上幷易于與任何現有的轉換器連接,從而簡化對EPC2010C氮化鎵場效應電晶體進行評估的流程。

產品狀況:停產產品
面向新設計,EPC 氮化鎵專家推薦EPC90124
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EPC9003C WaveformsEPC9003C的波形圖 operation as a 170 V to 5 V / 5 A (100 kHz) buck converter
CH1: PWM Input – CH4: (VOUT) Switch node voltage

EPC9003C Parameters Table* Assumes inductive load, maximum current depends on die temperature – actual maximum current with be subject to switching frequency, bus voltage and thermal cooling.
# Dependent on time needed to ‘refresh’ high side bootstrap supply voltage.