相比矽元件，氮化鎵元件在性能上實現質的飛躍

EPC的最新一代技術把元件的尺寸縮小一半但提升其性能達3倍。更低的成本和更高的性能使得氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和積體電路的發展進入“良性循環”（virtuous cycle）的軌度，在性能/成本上繼續擴大與等效、日益老化的矽基功率MOSFET的績效差距。