EPC9003C:开发板

EPC9003C – 200 V 半桥开发板

EPC9003C开发板具200 V最高器件电压、5 A最大输出电流、采用半桥拓扑及板载驱动器并采用EPC2010C增强型(eGaN®)场效应晶体管。

EPC9003C开发板旨在通过把所有重要元件集结在单板上并易于与任何现有的转换器连接,从而简化对EPC2010C氮化镓场效应晶体管进行评估的流程。

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EPC9003C WaveformsEPC9003C的波形图 operation as a 170 V to 5 V / 5 A (100 kHz) buck converter
CH1: PWM Input – CH4: (VOUT) Switch node voltage

EPC9003C Parameters Table* Assumes inductive load, maximum current depends on die temperature – actual maximum current with be subject to switching frequency, bus voltage and thermal cooling.
# Dependent on time needed to ‘refresh’ high side bootstrap supply voltage.