EPC90123:开发板

EPC90123:100 V、25 A半桥开发板

EPC90123开发板

EPC90123半桥开发板的最高电压为100 V,最大输出电流为25 A,采用板载栅极驱动器及增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(EPC2218)。

The EPC90123 development board measures 2” x 2” and contains two EPC2218 eGaN FETs and one EPC2038 eGaN FET in a half bridge configuration using the uPI Semiconductor uP1966A gate driver.

为了简化对EPC2218GaN FET进行评估的过程,所有关键元件都放置在一块板上,从而易于与任何现有的转换器连接。 关于“如何将EPC开发板构建成原型”的视频,请点击这里

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