Growing ecosystem for GaN Power Conversion at EPC

eGaN驱动器及控制器

于基于硅器件的系统相比,基于eGaN® FET的功率转换系统具备更高的效率、更高的功率密度及其总系统成本可以更低。这些优势刺激了支持基于氮化镓设计的电力电子元件生态系统的增长,包括可以提升氮化镓场效应晶体管性能的栅极驱动器、控制器及无源元件的发展。

半导体供应商例如uPI半导体TIpSemi继续推出驱动器及控制器,从而支持对基于氮化镓器件设计与日俱增的需求。

以下是目前与eGaN FET兼容的集成电路列表:

GaN Drivers and Controllers
 

与氮化镓器件匹配的低侧栅极驱动器

器件型号 制造商 描述 应用范例
UCC27611 Texas Instruments 4 A/6 A高速5 V、优化的单栅极驱动器 EPC9081
LMG1020Texas Instruments速度为60 MHz/1ns的5 V、7 A/5 A低侧氮化镓驱动器EPC9144
uP1964uPI Semiconductor增强型氮化镓场效应晶体管的单通道栅极驱动器---
IXD_604IXYS4安培双路低侧超快速驱动器---
LMG1025-Q1Texas InstrumentsAutomotive 7-A/5-A single-channel low-side gate driver with 5-V UVLO for narrow pulse applications---

与氮化镓器件匹配的半桥栅极驱动器

器件型号 制造商 描述 应用范例
NCP51820 On Semi -3.5 至+650 V、可调死区时间、双LDO 与EPC联系
LM5113Texas Instruments5 A、100 V eGaN FET半桥驱动器EPC9078
LMG1205Texas Instruments1.2 A, 5 A, 100 V eGaN FET半桥驱动器EPC9078
uP1966A uPI Semiconductor 驱动eGaN FET的双通道栅极驱动器 EPC9078
PE29102 pSemi 高速FET驱动器、40 MHz EPC9204
PE29101 pSemi 高速FET驱动器、40 MHz 与EPC联系
LMG1210Texas Instruments200 V、1.5 A/3 A、可调死区时间的半桥氮化镓驱动器与EPC联系
Si827xGB-IMSilicon Labs隔离式、车用、高达2.5 kV隔离电压、4 A
可编程死区时间。 使用“ GB”和“ IM”后缀
EPC9084
ADuM4120ARIZ Analog Devices 2 A输出的隔离型单通道驱动器 ---
ADuM4121ARIZ Analog Devices 2 A隔离型单通道驱动器 ---
LMG5200Texas Instruments80 V氮化镓半桥功率级LMG5200POLEVM-10

与同步整流器兼容的控制器

器件型号 制造商 描述 包含栅极驱动器
UCD7138 Texas Instruments 同步整流器控制器 Yes
TEA1993TS NXP 同步整流器控制器 Yes
TEA1995T NXP 双路的同步整流器控制器 是(双路)
TEA1998TS NXP 同步整流器控制器 Yes
NCP4305A On Semiconductor 二次侧同步整流的控制器 Yes
NCP4308AOn Semiconductor同步整流器控制器

与降压转换器兼容的控制器

器件型号 制造商 描述 工作频率
LTC7800Analog Devices低IQ、60 V、高频同步降压控制器320 kHz - 2.25 MHz
MIC2127A Microchip 配备可适应On-Time控制的同步降压控制器 270 kHz - 800 kHz
MIC2103/4 Microchip 配备可适应On-Time控制的同步降压控制器 200 kHz - 600 kHz
LM5140-Q1 Texas Instruments 具宽阔输入范围的双路同步降压控制器 440 kHz - 2.2 MHz
TPS40400 Texas Instruments 3 V – 20 V、30 A PMBus 同步降压控制器 200 kHz - 2 MHz
TPS53632G Texas Instruments 适用于48 V GaN DC/DC转换器的半桥D-CAP+控制器 300 kHz - 1 MHz
ISL8117ARenesas同步降压PWM控制器100 kHz - 2 MHz

与高可靠性应用兼容的集成电路

器件型号 制造商 描述 作用
FBS-GAM01P-C-PSEEPC SpaceSingle Output eGaN Gate Driver Module栅极驱动器
FBS-GAM02P-C-PSEEPC Space50 V Radiation Hardened High-Speed Multifunction Power eGaN® HEMT DriverHEMT Driver
FBS-GAM02-P-R50EPC Space50 V/10 A、耐辐射的多功能功率模块Power Stage
ISL70040SEHRenesas耐辐射的低侧GaN FET驱动器栅极驱动器