EPC2012C:增强型功率晶体管

VDS, 200 V
RDS(on), 100 mΩ
ID, 5 A
脉冲 ID, 22 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2012C Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.7 mm x 0.9 mm

应用

  • 高速直流-直流转换
  • 高频硬开关及软开关技术
  • D类音频放大器
  • 无线电源传送

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:投产
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