EPC2051: 100 V, 37 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

VDS, 100 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 1.7 A
脉冲 ID, 37 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2051 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.3 mm x 0.85 mm

应用

  • Open Rack Server Architectures (48 VIN)
  • LiDAR/Pulsed Power Applications
  • Power Supplies
  • Class D Audio
  • LED Lighting
  • Low Inductance Motor Drives

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:投产
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