EPC2102:增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管

VDS, 60 V
RDS(on), 4.9 mΩ
ID, 30 A
脉冲 ID, 220 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2102 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

应用

  • 高频DC-DC电源转换

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗、更低寄生电感及更低驱动功率
  • 效率更高 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 - 实现更高功率密度
产品状况:投产
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