EPC2105:增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管

VDS, 80 V
RDS(on),
14.5 mΩ (Q1, 控制 FET),
3.6 mΩ (Q2, 同步 FET)
ID, 10 A (Q1) 及 40 A (Q2)
脉冲 ID,70 A (Q1) 及 300 A (Q2)
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2105 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

应用

  • 高频DC-DC电源转换

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗、更低寄生电感及更低驱动功率
  • 效率更高 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 - 实现更高功率密度
产品状况:投产
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