EPC2106:增强型功率晶体管

VDS, 100 V
RDS(on), 70 mΩ
ID, 1.7 A
脉冲 ID, 18 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2106 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.35 mm x 1.35 mm

应用

  • 高频DC-DC电源转换
  • D类音频放大器
  • 发光二极管照明

优势

  • 开关频率更快 – 更低的开关损耗、更低的寄生电感及更低的驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 更高的功率密度、具备低电感的封装
产品状况:投产
立即购买
购买 eGaN FET及集成电路


Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教