EPC2110 - 双路增强型氮化镓功率晶体管

VDS, 120 V
双路FET、共源极
RDS(on), 110 mΩ
ID, 3.4 A
脉冲 ID, 20 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2110 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.35 mm x 1.35 mm

应用

  • 高频DC-DC电源转换
  • 无线电源传送
  • 同步整流n

优势

  • 开关频率更快 – 更低的开关损耗、更低的寄生电感及更低的驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 更高的功率密度、具备低电感的封装
产品状况:投产
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