EPC2115: Dual 150 V, 5 A Integrated Gate Drivers eGaN® IC

Integrated Gate Driver

  • Low Propagation Delay
  • Up to 7 MHz Operation
  • Operates from 5 V Supply

Dual 150 V, 88 mΩ eGaN FET
Low Inductance BGA

EPC2115 Gallium Nitride GaN Integrated Circuit
晶片尺寸: 2.9 mm x 1.1 mm

应用

  • 无线电源传送
  • 高频DC-DC电源转换
EPC2115 Schematic
产品状况:工程产品
在购买器件时,产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态",不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前,请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
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