EPC2214：面向车载应用的80 V、47 A增强型氮化镓功率晶体管

VDS, 80 V
RDS(on), 20 mΩ
ID, 10 A
脉冲电流 ID, 47 A
AEC-Q101认证

EPC2214 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.35 mm x 1.35 mm

应用

  • 激光雷达/脉冲功率应用
  • DC/DC 转换器
  • 隔离型DC/DC转换器
  • 无刷直流电机驱动器
  • 面向AC/DC及DC/DC应用的同步整流
  • 无线电源传送

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:投产
立即购买
购买 eGaN FET及集成电路


Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗？
向GaN技术专家请教

数据表

演示／开发板

品质及可靠性

设计资源

应用笔记

设计范例

器件模型