EPC2219: 65 V, 0.5 A增强型功率晶体管

VDS, 65 V
RDS(on), 3300 mΩ
ID, 0.5 A
脉冲 ID, 0.5 A
AEC-Q101认证

EPC2219 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 0.9 mm x 0.9 mm

应用

  • 光学遥感技术/脉冲式功率应用
  • 高速栅极驱动
  • 无线电源传送
  • 同步自举电路
  • D类音频放大器

优势

  • 超高效率
  • 超低 QG
  • 超小外形尺寸
产品状况:投产
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