氮化镓技术的价值
电力成本是推动社会经济持续健康发展的主要动力，因为提高成本效益使我们享有更佳的生活质素并推动全新应用和产业的发展。 由于硅技术已经达到了它的性能极限，因此它不再是前沿技术以满足社会对越来越高效的电力的需求。为了重拾技术发展的势头并成就创新动力，我们需要一种全新的半导体材料。
EPC的eGaN技术 - 推动全新庞大的市场发展及占据传统的硅器件市场的颠覆性技术
创建宜普电源转换公司
宜普电源转换公司于2007年11月由三位资深工程师共同创建，他们合共拥有六十年与先进功率管理技术相关的经验。宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow是1970年代硅功率MOSFET的共同发明者。在国际整流器公司曾担任管理研发及制造职位外，期间更有长达十二年担任该公司的首席执行官。其后半导体技术的发展进程让宜普公司的所有创办人清楚知道硅技术已经达到它的性能极限及其发展步伐已经不可以像从前那样为业界推动创新、再创高峰。
创建宜普电源转换公司是基于对氮化镓技术可以在电源转换领域替代硅技术的信念， 这是由于氮化镓技术具备无敌的速度、效率及低成本的优势。其实氮化镓技术是一种具备优越的晶体特性的使能技术，它可以实现的性能与硅技术相比较是1000 ：1 的比值。
氮化镓晶体管面市
宜普公司于2009年6月推出第一款商用增强型氮化镓（eGaN®)晶体管。这些全新的器件在台湾晶圆代工厂制造，该厂制造标准硅IC，是一个成熟、高效及低成本的供应链，使得氮化镓晶体管格外的可靠及并不昂贵。目前宜普公司提供超过100 种产品，面向全球130亿美元的市场。
氮化镓技术将击败硅技术
60年以來氮化鎵元件是是第一种具备更高性能及更低成本的元件并可以替代硅元件。目前宜普公司与全球多家领先行业的公司携手利用氮化镓使能技术推动它们的新一代技术的发展。使用氮化镓产品的公司可以避免因为使用旧有硅器件而落后、推动公司业务增长及提升终端用户价值。