p-GaN HEMT 功率器件中漏极和栅极过电压失效机制的分析 Posted 2024年10月31日 在本文中，我们讨论了对广泛应用于工业中的 p-GaN HEMT 器件因漏极和栅极过电压应力导致的失效机制的根本原因进行分析的研究。在结论部分，我们还呈现了对该研究的一位作者的独家采访。 电力电子新闻 2024年10月 阅读文章