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使用低压 eGaN FET 提高高压服务器电源的功率密度 - 第一部分
Posted 2025年3月3日
本文第一部分介绍了在高电压应用中使用低电压氮化镓(GaN)器件的概况，举例说明了一个240 VAC源5 kW双极PFC和一个400 VDC至50 VDC隔离的LLC转换器。通过FOM分析显示，使用低电压器件可以显著提高性能。这种优势还体现在通过减小磁性组件的尺寸和降低EMI滤波器要求来增加功率密度上。
Bodo的电力系统
2025年3月
低电压GaN - 驱动高电压应用 - 第1部分