常见问题

eGaN晶体管与横向硅场效应晶体管（FET）非常相似。关于器件和技术的一般性讨论，请参阅应用笔记氮化镓功率晶体管的基础知识。

下面的视频也涵盖了GaN的基本知识：
如何使用GaN 01：简介——材料成分
如何使用GaN 03：性能特性

图1：EPC公司的GaN功率晶体管结构

图2：eGaN FET的扫描电镜图截面

eGaN FET从2010年首次推出以来，目前已经发展到第五代，而这一种了不起的新技术的发展还是刚刚起步。EPC公司正致力于使eGaN FET比老龄化的功率MOSFET 具有更高性能、更容易使用和更低的成本。要了解最新发展情况，请加入我们的邮件名单，并在社交媒体上关注我们。

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EPC提供几种工具来帮助简化对EPC eGaN FET和IC进行评估，我们提供开发板，包括在单板上包含所有关键组件，易于连接到任何现有系统中。该板包含所有关键元件和布局以获得最佳开关性能，包括栅极驱动电路、板载栅极驱动电源和旁路电容器。

关于开发板和支持文档正在不断增加，并可以在演示板页面找到。

EPC还在设计支持页面为所有器件提供P-SPICE、T-SPICE、LT-SPICE和Spectre模型。经验告诉我们，各种器件模型极其精确地描绘出实际器件的性能。我们的测试结果可以在应用笔记 使用EPC器件模型的电路仿真中找到。

为了帮助工程师能够节省时间并利用所需资源，成功地把EPC晶体管直接安装在PCB上，请参阅我们的应用笔记组装eGaN FET和IC。

如何放置及移除芯片的速查参考，以及相关的演示视频，可在组装资源页面找到。

氮化镓技术不仅仅提高性能及降低成本，它的固有优势 -- 可以集成多个器件于相同的衬底上，可影响整个功率转换市场。与通用硅基集成电路技术相比，氮化镓技术让设计师可以简单直接、低成本地在单个晶片上实现单片式功率系统。

半桥器件是目前最普遍使用的构建模块。EPC公司在2014年推出集成式半桥器件系列，开展系统芯片的发展旅程。配备集成式同步自举电路的集成半桥器件EPC2107及EPC2108的推出，进一步扩大SoC的发展趋势。在2018年，我们继续推出全新的eGaN集成电路，在单个晶片结合高频GaN FET及栅极驱动器，从而实现更高的效率、更小的尺寸及更低的成本。这些器件可以在我们的产品选型指南找到。

EPC公司目前的产品的电压范围为15V 至 200V。我们计划扩大包括更高电压的产品线。那时，EPC的eGaN®FET将覆盖目前现有功率MOSFET所支持的90%应用。

关于最新的产品开发详情，请在此注册：https://epc-co.com/epc/cn/联系我们/Connect.aspx。

我们相信氮化镓技术具有非常高的阻断电压能力。与硅器件相比，由于eGaN器件具备高电子迁移率特性，它可以设计成高压器件而其R_DS(ON)可以小很多。此外，作为一个小型器件，它的单位面积电容远低于沟槽MOSFET，从而实现非常快速的开关速度。其结果是器件可以满足高阻断电压的要求而对R_DS(ON)及速度的影响极小、速度的。在我们的发展路线图中，我们目前没有超过600V的产品。

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增强型和耗尽型N沟槽氮化镓器件已经推出市场。EPC目前只提供增强型N沟槽器件。虽然有可能制造p沟槽器件，但与硅相比，这种p沟槽器件的性能较差。

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EPC正在开发基于我们的eGaN技术平台的IC技术。信号电平组件与功率GaN晶体管的集成可以实现半导体历史上的一个重大发展！

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EPC的质量管理体系通过了ISO 9001:2015认证。EPC合作伙伴是世界一流的ISO/TS 16949和ISO 9001认证的晶圆制造和组装供应商，EPC与通过ISO 9001认证的Digi-Key公司签订合同，在全球分销我们的产品。请访问质量和环境页面，取得更多关于EPC公司的质量和环保项目信息。

我们目前没有计划推出分立式GaN二极管。请注意，目前的eGaN FET可以作为二极管般工作。虽然没有反向旁路开关的物理二极管，但当电流被迫从源极流向漏极时，漏极电压下降到它开始导通沟槽，就像一个二极管般工作。由于没有少数载流子，这些器件没有反向恢复。

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