包络跟踪是一种电源技术,可改善射频功率放大器的能效,因为它可以追踪所需功率,有别于目前的固定功率系统。
由于氮化镓功率晶体管的开关速度就在纳秒范围边缘,它被视为推动包络跟踪转换器及具宽频宽射频功率放大器设计的技术,它具备超快速开关性能,可推动应用于包络跟踪的高频多相降压转换器。
应用摘要 - 于包络跟踪应用采用氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)
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