包络跟踪

Envelope Tracking Applications

包络跟踪是一种电源技术，可改善射频功率放大器的能效，因为它可以追踪所需功率，有别于目前的固定功率系统。

由于氮化镓功率晶体管的开关速度就在纳秒范围边缘，它被视为推动包络跟踪转换器及具宽频宽射频功率放大器设计的技术，它具备超快速开关性能，可推动应用于包络跟踪的高频多相降压转换器。

面向包络跟踪应用的eGaN FET

有没有关于包络跟踪应用的提问吗？
向GaN技术专家请教

面向包络跟踪应用的参考设计

	器件型号	描述	V_IN	V_OUT	l_OUT (A)	氮化镓器件型号
	TIDA-01634	面向高速DC/DC转换器、基于工作在数兆赫兹频率的GaN器件的功率级参考设计	0 - 60		10	EPC8009	立即购买

器件型号	配置	V_DS	R_DS(ON)(mΩ) (V_GS = 5 V) 最大值	Q_G (nC) 典型值	Q_GS (nC) 典型值	Q_GD (nC) 典型值	Q_OSS (nC) 典型值	最大脉冲峰值电流 I_D(A) (25°C、 Tpulse = 300µs)	封装 (mm)	半桥式开发板
EPC2055	单路	40	3.6	6.6	2.3	0.7	13	161	LGA 2.5 x 1.5	EPC90132
EPC2014C	单路	40	16	2	0.70	0.30	4	60	LGA 1.7 x 1.1	EPC9005C
EPC8009	单路	65	130	0.37	0.120	0.055	0.94	7.5	LGA 2.1 x 0.85	EPC9067
EPC8002	单路	65	480	0.133	0.057	0.015	0.334	2	LGA 2.1 x 0.85	EPC9022
EPC8010	单路	100	160	0.36	0.130	0.060	2.2	7.5	LGA 2.1 x 0.85	EPC9068