宜普电源转换公司推出了全球市场上第一款增强型氮化镓器件。我们的氮化镓场效应晶体管允许设计工程师采用任何电源转换拓扑包括全桥、半桥、降压转换器、升压转换器、功率因数校正、反激式转换器、正激式转换器或LLC转换器，因此可实现比硅功率MOSFET显著增强的性能。我们考虑到eGaN® FET必需易于使用，所以开发了一系列与硅功率MOSFET器件非常相似的氮化镓器件。而易于使用的工具可实现全新器件的应用。宜普开发了一整套三阶器件模型，工程师可以充分利用它们迅速及有效率地设计和实现各种电路设计。
工程师现在可使用宜普公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)模型并利用 National Instrument 公司的Multisim 电路仿真环境来提高设计性能。 观看网络广播
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