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40 V eGaN FET Ideal for High Power Density Telecom, Netcom, and Computing Solutions Now Available from EPC

40 V eGaN FET Ideal for High Power Density Telecom, Netcom, and Computing Solutions Now Available from EPC

EPC introduces the 40 V, 1.3 milliohm EPC2067 eGaN® FET offering designers a device that is smaller, more efficient, and more reliable than MOSFETs for high-performance, space-constrained applications.

EL SEGUNDO, Calif. — October 2021 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs, expands the selection of low voltage, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2067 (1.3 mΩ typical, 40 V) eGaN FET. 

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分类: 新闻稿

50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET 的升压转换器, 为笔记本电脑和PC显示器背光提供高效、简单和低成本的解决方案

50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET 的升压转换器, 为笔记本电脑和PC显示器背光提供高效、简单和低成本的解决方案

50 W、12 V/60 V且基于eGaN® FET的同步升压转换器采用简单、低成本的拓扑结构,可实现 95.3%的峰值效率和低温升。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出双向降压或反向升压转换器演示板(EPC9162)。该演示板用于同步转换器时采用100 V的EPC2052器件,以及用于同步自举FET电路时,采用EPC2038器件。

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分类: 新闻稿

New Textbook, GaN Power Devices and Applications from Efficient Power Conversion (EPC) Now Available

New Textbook, GaN Power Devices and Applications from Efficient Power Conversion (EPC) Now Available

GaN devices and applications, such as lidar, DC-DC conversion, motor drive, and low-cost satellites using gallium nitride FETs and ICs, form the focus of this book, GaN Power Devices and Applications.

EL SEGUNDO, Calif. — October 2021 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs, announces the publication of a valuable learning resource for professional engineers, systems designers, and electrical engineering students seeking the latest information on gallium nitride technology and applications. 

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分类: 新闻稿

LiDAR System Design of ToF Laser Driver with GaN

LiDAR System Design of ToF Laser Driver with GaN

The new gallium nitride (GaN) family aims to deliver time-of-flight (ToF) applications for autonomous cars and 3D sensing across the consumer and industrial sectors. In an interview with EE Times, Alex Lidow, CEO at EPC, highlighted how introducing the eToF Laser Driver family’s for LiDAR system design at a low cost competes with the Mosfet when it comes to LiDAR applications.

EEWeb
September, 2021
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分类: 技术文章

Efficient Power Conversion (EPC) and innosonix Address Power Consumption and Overall Efficiency Demands for High-end Audio Amplifier Application with eGaN FET Design

Efficient Power Conversion (EPC) and innosonix Address Power  Consumption and Overall Efficiency Demands for High-end Audio Amplifier Application with eGaN FET Design

EL SEGUNDO, Calif. — September 2021 — Idle power consumption and overall efficiency were key concerns of innosonix GmBH when designing its latest high-end Maxx Series multi-channel power amplifier. By changing from traditional silicon FETs to EPC’s EPC2059 eGaN FET the company reduced idle loss by 35% and lowered the on resistance to increase the total power efficiency by 5%.

The EPC2059 is a 6.8 mΩ, 170 V enhancement-mode gallium nitride (eGaN) transistor offering superior audio performance for high-end amplifier applications. The low on resistance and low capacitance of the EPC2059 enables high efficiency and lowers open loop impedance for low Transient Intermodulation Distortion (T-IMD). The fast-switching capability and zero reverse recovery charge enable higher output linearity and low cross over distortion for lower Total Harmonic Distortion (THD).

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分类: 新闻稿

Discovering GaN for Power Design in Space — An Interview with Alex Lidow

Discovering GaN for Power Design in Space — An Interview with Alex Lidow

Unlike silicon, whereby specific manufacturing processes and packaging are required to insulate semiconductors from the effects of radiation, GaN devices are largely resistant to the damage caused by space radiation due to their physical characteristics and structure. In an interview with Alex Lidow, CEO at EPC, Power Electronic News have discovered the features of GaN for space applications.

Power Electronics News
September, 2021
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分类: 访问文稿

EPC扩大了 40 V eGaN FET的产品陈容, 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC扩大了 40 V eGaN FET的产品陈容, 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET),器件型号为EPC2069,专为设计人员而设,EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069(典型值为 1.6 mΩ、40 V)是更高性能的低压器件,可立即供货。

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分类: 新闻稿

应对用于超薄计算应用的超薄并具高功率密度的 48 V DC/DC 转换器的电源和磁性设计挑战

应对用于超薄计算应用的超薄并具高功率密度的 48 V DC/DC 转换器的电源和磁性设计挑战

在过去十年中,计算机、显示器、智能手机和其他消费电子系统变得更薄,同时功能也变得更强大。因此,市场对具有更高功率密度的更纤薄电源解决方案的需求不断增加。本文研究了额定功率为 250 W且超薄的48 V / 20 V转换器,它可以采用各种非隔离型 DC/DC 降压拓扑的可行性。我们研究了各种非隔离型拓扑的优缺点,从而了解拓扑如何影响功率晶体管和磁性元件的选择,特别是电感器,因为这两个器件产生转换器的大部分损耗。本文还详细分析了为这些应用设计薄型电感器所面对的挑战,包括电感器损耗的因素、电感器尺寸和设计权衡,包括对 EMI 的影响。我们是以选择、构建和测试了超薄多电平转换器拓扑。从该转换器获得的实验结果,用于进一步优化操作设置和元件的选择,从而实现超过 98%的峰值效率。

EPC公司Michael de Rooij
Würth Elektronik 公司Quentin Laidebeur

IEEE Power Electronics Magazine
2021年9月
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分类: 技术文章

Bodo 宽带隙专家演讲 – 氮化镓半导体专题 - 2021 年 6 月

Bodo 宽带隙专家演讲 – 氮化镓半导体专题 - 2021 年 6 月

由 Bodo Power Systems 主办的氮化镓行业专家圆桌会议的嘉宾包括:

  1. EPC公司的首席执行官兼共同创始人Alex Lidow
  2. Power Integrations公司的市场营销与应用工程副总裁Doug Bailey
  3. Nexperia 公司的氮化镓功率技术营销战略总监Dilder Chowdhury
  4. Navitas Semiconductor公司的市场营销战略高级总监Tom Ribarich
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分类: 技术文章

氮化镓和 碳化硅器件的下一个浪潮

氮化镓和 碳化硅器件的下一个浪潮

根据将氮化镓和碳化硅材料的电子从价带转移到导带所需的能量,氮化镓和碳化硅器件被指定为宽带隙 (WBG) 半导体——碳化硅器件约为 3.2 eV,氮化镓器件则约为 3.4 eV,而硅器件只有1.1 eV 。WBG 的击穿电压更高,在某些应用中可以达到 1,700 V。 在今年 5 月举行的线上PCIM Europe展会上,几家公司展示了他们在 氮化镓和碳化硅技术方面的最新创新,并就 WBG 技术的发展方向分享了其独特见解。

EE Times – Europe
2021 年 7 月
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分类: 技术文章

EPC新推80 V和200 V eGaN FET,扩大其高性能eGaN系列的产品阵容

EPC新推80 V和200 V eGaN FET,扩大其高性能eGaN系列的产品阵容

这些新一代氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 满足了目前电动出行(eMobility)、交付和物流机器人,以及无人机市场所需的紧凑型 BLDC 电机驱动器和具成本效益、高分辨率的飞行时间(ToF)的新需求。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。

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分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion (EPC) Announces New Family of Radiation-Hardened Enhancement-Mode Gallium Nitride (eGaN) Transistors and Integrated Circuits for Demanding Space Applications

Efficient Power Conversion (EPC) Announces New Family of Radiation-Hardened Enhancement-Mode Gallium Nitride (eGaN) Transistors and Integrated Circuits for Demanding Space Applications

Efficient Power Conversion (EPC) introduces a new family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions in critical spaceborne and other high reliability environments.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2021 — EPC announces the introduction of a new family of radiation-hardened gallium nitride transistors and integrated circuits. With higher breakdown strength, faster switching speed, higher thermal conductivity and lower on-resistance, power devices based on GaN significantly outperform silicon-based devices. The lower resistance and gate charge enable faster power supply switching frequencies resulting in higher power densities, higher efficiencies, and more compact and lighter weight circuitry for critical spaceborne missions. Gallium nitride is also inherently radiation tolerant, making GaN-based devices a reliable, higher performing power transistor option for space applications.

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分类: 新闻稿

EPC公司将在2021年APEC虚拟会议暨博览会上,展示在多种应用中 使用eGaN FET和集成电路的高功率密度解决方案

EPC公司将在2021年APEC虚拟会议暨博览会上,展示在多种应用中 使用eGaN FET和集成电路的高功率密度解决方案

宜普电源转换公司(EPC) 的氮化镓专家将在APEC展示最新的增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路的发展,并探讨氮化镓技术的卓越性能如何改变了具高功率密度的计算、车载、电动运输和机器人等应用的电源供电。

EPC团队将在6月14日至17 日举行的APEC虚拟会议暨博览会上,进行多个关于氮化镓 (GaN) 技术和应用的技术演示和网络研讨会,并且提供相关的教育教程。此外,EPC公司也参加了此次活动的虚拟展览,展示出其客户的终端产品中采用了最新的 eGaN FET和集成电路,从而推动了氮化镓(eGaN)技术的普及。

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分类: 新闻稿
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