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与硅MOSFET相比,宜普电源转换公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET产品系列 为业界树立了全新的性能基准

与硅MOSFET相比,宜普电源转换公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET产品系列 为业界树立了全新的性能基准

新一代100 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、汽车信息娱乐及激光雷达系统的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司(EPC)最新推出的两款100 V eGaN FET(EPC2218EPC2204),性能更高并且成本更低,可立即发货。采用这些先进氮化镓器件的应用非常广阔,包括同步整流器、D类音频放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器(硬开关和谐振式)和面向全自动驾驶汽车、机械人及无人机的激光雷达系统

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分类: 新闻稿

Testing Gallium Nitride Devices to Failure Under Extreme Voltage and Current Stress

Testing Gallium Nitride Devices to Failure Under Extreme Voltage and Current Stress

Standard qualification testing for semiconductors typically involves stressing devices at-or-near the limits specified in their data sheets for a prolonged period of time, or for a certain number of cycles, with the goal of demonstrating zero failures. By testing parts to the point of failure, an understanding of the amount of margin beyond the data sheet limits can be developed, but more importantly, an understanding of the intrinsic failure mechanisms of the semiconductor can be found.

Bodo’s Power Systems
September, 2020
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分类: 技术文章

面向快速发展的关键应用的GaN HEMT,它的性能优于MOSFET

面向快速发展的关键应用的GaN HEMT,它的性能优于MOSFET

硅功率MOSFET未能跟上电力电子行业的发展变化,而效率、功率密度和更小的外形尺寸等因素是行业的主要需求。 硅MOSFET器件的性能已达到其理论极限,并且由于电路板的空间非常宝贵,因此功率系统设计人员必需找出替代方案。 氮化镓(GaN)器件是一种高电子迁移率晶体管(HEMT),这种半导体正为新兴应用不断增值。

EETimes
2020年8月
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分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)的200 V 氮化镓产品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

宜普电源转换公司(EPC)的200 V 氮化镓产品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

新一代200 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器,以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司(EPC)最新推出的两款200 V eGaN FET(EPC2215EPC2207),性能更高而同时成本更低,目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔,包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器(MPPT)、DC/DC转换器(硬开关和谐振式),以及多电平高压转换器。

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分类: 新闻稿

Podcast: Yes, We GaN: Gallium Nitride and Its Role in Power ICs

Podcast: Yes, We GaN: Gallium Nitride and Its Role in Power ICs

In this inaugural episode, guests are Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion Corp., and Dinesh Ramanathan, co-CEO of NexGen Power Systems. EPC and NexGen both have expertise with gallium nitride technology and GaN power devices. EETimes speaks with both about the technology and about the market for GaN power devices.

EETimes
August, 2020
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分类: 技术文章

GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications

GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications

Gallium nitride (GaN) power devices have been in volume production since March 2010 and have established a remarkable field-reliability record. An automotive application using GaN power devices in high volume is lidar (light detection and ranging) for autonomous vehicles. Lidar technology provides information about a vehicle’s surroundings, thus requiring high accuracy and reliability to ensure safety and performance. This article will discuss a novel testing mechanism developed by Efficient Power Conversion (EPC) to test eGaN devices beyond the qualification requirements of the Automotive Electronics Council (AEC) for the specific use case of lidar.

eeNews Europe
July 30, 2020
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分类: 技术文章

氮化镓器件缓解了硅器件的问题

氮化镓器件缓解了硅器件的问题

就像生活要面对现实一样,老年人离开舞台而让位给年轻人,硅器件也是需要向现实低头。 随着氮化镓器件的问世和普及,正逐步淘汰旧有可靠的硅器件。 在过去的四十年中,随着功率MOSFET器件的结构、技术和电路拓扑的创新与不断增长的电力需求同步发展,电源管理的效率和成本一直以来得以稳步改善。 但是,在业界发展的新时代,随着硅功率MOSFET器件接近其理论极限,其演进速度下降了很多。 同时,新材料氮化镓的理论性能极限稳步发展,其性能极限比老化的MOSFET器件高出6,000倍,并且比目前市场上最好的氮化镓产品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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分类: 技术文章

EPC和Microchip公司携手开发用于高功率密度计算应用和数据中心的 300 W、1/16砖式48 V/12 V DC/DC转换器演示板

EPC和Microchip公司携手开发用于高功率密度计算应用和数据中心的 300 W、1/16砖式48 V/12 V DC/DC转换器演示板

美国微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的数字信号控制器(DSC)与宜普电源转换公司(EPC)的超高效氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的结合,可实现最佳功率密度(730 W/in3),从而实现高效、低成本的DC-DC转换。

EPC公司宣布推出1/16砖式、300 W DC/DC稳压器(EPC9143)。 EPC9143功率模块把Microchip dsPIC33CK数字信号控制器(DSC)和最新一代eGaN FET(EPC2053)集成在一起,实现25 A、48 V/12 V和96%效率的功率转换。

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分类: 新闻稿

虚拟圆桌会议 : 用于D类音频放大器的氮化镓器件与硅器件的比较(第2部分,共2部分)

虚拟圆桌会议 : 用于D类音频放大器的氮化镓器件与硅器件的比较(第2部分,共2部分)

在EEWorld “虚拟圆桌会议” 关于D类音频的讨论的第二部分中,我们的小组成员深入探讨了新兴氮化镓器件(GaN)对D类设计的影响:硅器件在哪方面仍然占主导地位? 在D类放大器中使用GaN的性能优势是什么? D类放大器中GaN与硅的未来预期趋势如何?

参加这个虚拟圆桌会议包括Analog Devices公司音频系统架构师Joshua LeMaire(JL)、 宜普电源转换公司(EPC)战略技术销售副总裁Steve Colino(SC)和 英飞凌(Infineon )D类音频应用工程主管Jens Tybo Jensen(JTJ)。

EEWorld Online
2020年7月
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分类: 技术文章

面向宇航应用的氮化镓晶体管

面向宇航应用的氮化镓晶体管

氮化镓功率晶体管是面向严苛航太任务的功率和射频应用的理想器件。 通过全新基于eGaN®器件的解决方案,EPC Space公司提供专门为商业卫星关键应用而设计的氮化镓器件,可确保器件的耐辐射性能和对单粒子效应的免疫能力。 这些器件具有极高的电子迁移率、低温度系数和非常低的导通阻抗。

EETimes
2020年7月
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分类: 技术文章

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

Efficient Power Conversion (EPC) will showcase the company’s latest ePower™ Stage IC family of products showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for computing, communications, robotics, and transportation at the PCIM Europe 2020 Digital Days.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2020 — The EPC team will be delivering three technical presentations and participating in two panel discussions on gallium nitride (GaN) technology and applications at the upcoming PCIM Europe 2020 Digital Days, July 7 – 8. In addition, the company will participate in the event’s virtual exhibit, showing its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are rapidly adopting eGaN technology.

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分类: 新闻稿

EPC和VPT宣布成立合资公司EPC Space 面向关键任务应用的耐辐射功率电子市场

EPC和VPT宣布成立合资公司EPC Space 面向关键任务应用的耐辐射功率电子市场

面向关键宇航应用及其它高可靠性应用环境,合资公司EPC Space为客户提供先进、高可靠性的氮化镓功率转换解决方案,从而确保更可靠的操作和任务成功。

宜普电源转换公司(EPC)与VPT公司(海科航空公司旗下公司、NYSE交易代号为HEI.A及HEI)宣布成立合资公司EPC Space LLC,针对卫星及高可靠性应用,从事设计和制造耐辐射、采用封装、通过测试和经认证合格的硅基氮化镓晶体管和集成电路。

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分类: 新闻稿

硅片已死……分立功率器件快将消失

硅片已死……分立功率器件快将消失

在超过四十年中,随着功率MOSFET器件的结构、技术和电路拓扑的创新,可满足不断增长的电力需求,因此改善了电源管理的效率和成本。 然而,在这新世纪的发展,随着硅功率MOSFET器件已经接近其理论极限,其改进速度已大为减慢。 与此同时,一种全新材料 - 氮化镓(GaN)- 正朝着新的理论性能领域的方向,稳步发展,其性能是老化的MOSFET器件的6,000倍,以及是目前市场的最优越GaN器件的300倍。

EETimes
2020年6月
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分类: 技术文章

Designing An Ultra-Thin Stepdown Converter: Multiphase Vs. Multilevel

Designing An Ultra-Thin Stepdown Converter: Multiphase Vs. Multilevel

Over the past decade computers, displays, smart phones and other consumer electronics systems have become thinner while also becoming more powerful. As a result, the market continues to increase its demand for thinner power supply solutions with greater power density. This article examines the feasibility of adopting various non-isolated dc-dc stepdown topologies for an ultra-thin 48-V to 20-V, 250-W power solution.

How2Power
May, 2020
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分类: 技术文章

Integrated GaN Power Stage for eMobility

Integrated GaN Power Stage for eMobility

Brushless DC (BLDC) motors are a popular choice and are finding increasing application in robotics, drones, electric bicycles, and electric scooters. All these applications are particularly sensitive to size, weight, cost, and efficiency. A monolithically integrated GaN power stage is demonstrated powering a 400 W capable BLDC motor with low switching losses and significant savings in size and weight.

Power Electronics Europe
May, 2020
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分类: 技术文章

GaN Integrated Power Stage – Redefining Power Conversion

GaN Integrated Power Stage –  Redefining Power Conversion

Beyond just performance and cost improvement, the most significant opportunity for GaN technology to impact the power conversion market comes from its intrinsic ability to integrate multiple devices on the same substrate. GaN technology, as opposed to standard silicon IC technology, allows designers to implement monolithic power systems on a single chip in a more straightforward and cost-effective way.

Bodo’s Power Systems
May, 2020
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分类: 技术文章
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