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宜普电源转换公司的氮化镓技术荣获电子技术设计杂志十周年创新技术优秀奖

分类: 新闻稿

作为硅MOSFET器件的替代技术,宜普电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管技术荣获业界著名杂志颁发创新技术优秀奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)荣获EDN China(电子技术设计杂志)颁发十周年创新奖 --影响未来的十大创新技术类别中的「创新技术优秀奖」。电子技术设计杂志创新奖为业界共同树立技术、产品及公司创新基准。该奖项通过全球电子设计工程师及经理网上投票(40%)、专家评审(30%)及编辑评选(30%)而得出结果。创新奖十周年颁奖典礼在6月26日于上海举行。

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow称「我们非常荣幸宜普公司的氮化镓技术(eGaN)获得业界著名杂志颁发创新技术优秀奖,尤其是这项殊荣的部分结果是由全球工程师推举而来。功率设计工程师认同增强型氮化镓晶体管具快速开关、高效、小尺寸及极具成本效益等优势,可引领业界继续替代硅MOSFET器件的进程。」

关于电子技术设计杂志及创新奖

电子技术设计杂志(EDN China)十周年创新奖于二零一四年举行,设有九个主要类别,共收到从全球超过七十家公司及一百二十八项产品提名。该杂志于超过二十年前创刊,为业界第一本杂志专注于电力电子的设计及作为技术交流的平台。它拥有超过四十万读者注册。关于该杂志的详情请浏览www.ednchina.com

宜普电源转换公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ( winnie.wong@epc-co.com)

标签: 奖项

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