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EPC推出视频系列《GaN如何改变我们的生活方式》

分类: 新闻稿
EPC推出视频系列《GaN如何改变我们的生活方式》

宜普电源转换公司(EPC)与工程师分享经过专业制作的6个视频,展示出在最终客户端的应用,例如无线充电桌面、高性能激光雷达、48 V–1.8 V DC/DC单级转换,以及利用氮化镓晶体管及集成电路实现准确控制的马达驱动器等应用。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)制作了6个精简视频,展示出在最终客户端采用eGaN® FET及集成电路eGaN® FET及集成电路的应用。这些视频描述氮化镓技术正在改变我们的生活方式,并挑战功率系统设计工程师如何在他们新一代的功率系统设计中,发挥高效氮化镓场效应晶体管及集成电路的优势。

采用eGaN技术的应用的演示视频包括:

1.  APEC 2017: 基于氮化镓技术的应用

宜普电源转换公司(EPC)于国际著名功率电子与应用研讨会(APEC 2017)展示出超过25种应用,它们都采用了改变我们生活方式的氮化镓技术。在本视频,EPC首席执行官Alex Lidow与我们分享在EPC展位上所展出采用氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路的多种应用,包括于2 x 3英尺的桌面上以无线充电方式对多个设备同时供电。

2.  剪断电源线!基于氮化镓技术的无线充电桌面

EPC公司首次展示在桌面上可以同时对多个设备进行无线充电。本视频描述在该桌面上,我们可以同时对笔记本电脑、电视显示屏、Google Home、Amazon Alexa、台灯及手机进行无线充电。氮化镓技术不仅仅是对手机进行无线充电,而是可以对我们的智能家居进行无线充电。

3.  面向激光雷达应用的氮化镓驱动器

相比日益老化的MOSFET器件,目前氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)及集成 电路的开关速度快十倍。高速开关使得LiDAR系统具备优越的分辨率、更快速反应时间及更高准确性等优势。这种技术迅速被各种需要更高准确性的应用所采用,例如自动驾驶汽车及扩增实境系统。

4.  在48 V - 1.8 V DC/DC转换采用GaN FET 与MOSFET的比较

EPC公司最新一代的工艺再一次击败硅基MOSFET功率元件,实现更高性能的元件而同时缩小元件的尺寸及降低成本。本视频展示出100 V 的GaN FET与等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、占板面积小很多、功耗低30%及提高功率密度达3倍。

5.  在150 V - 12 V DC/DC转换采用GaN FET 与MOSFET的比较

EPC的产品再一次击败硅基MOSFET功率元件,实现更高的性能而同时缩小元 件的尺寸及降低成本。本视频展示出200 V的 GaN FET与等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、大大减小占板面积(器件小型化达15倍)、功耗低出40%及提高功率密度达3倍。

6.  马达驱动器应用

本视频展示出德州仪器公司的48 V、10 A、三相位的氮化镓逆变器参考设计,采用了LMG5200器件。 基于氮化镓的解决方案具有更优越的散热特性/模式 – 不需散热器、更低的电感可以缩小器件的尺寸及更轻盈。这个参考设计可实现难以置信的98.5% 效率。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称:「这些精简视频展示出在最终客户端的应用中,目前采用高效氮化镓场效应晶体管及集成电路或由它们提升性能。我们希望这些视频可以激发具备创新性思维、前瞻性眼光的功率系统工程师,利用氮化镓产品的优势,开发创新的解决方案。」

观看各种氮化镓应用的演示视频,可从EPC网站的视频库

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、功率逆变器光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。详情请浏览我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])