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EPC公司于PCIM Asia 2017与工程师进行技术交流 -- 如何在高功率、高度共振式无线充电应用中选择于6.78 MHz工作的放大器拓扑结构

分类: 新闻稿
EPC公司于PCIM Asia 2017与工程师进行技术交流 -- 如何在高功率、高度共振式无线充电应用中选择于6.78 MHz工作的放大器拓扑结构

宜普电源转换公司(EPC)是硅基增强型氮化镓场效应晶体管及集成电路的领先供应商,基于eGaN® FET与集成电路的低成本解决方案是在发射端采用单个功率放大器,而在接收端无论是采用什么标准,也可以实现无线充电。

我们诚挚邀请工程师莅临中国上海,出席于2017年6月28日(星期三)上午11时在上海世博展览馆B2层2号会议室举行的PCIM Asia 2017研讨会(电力转换与智能运动研讨会)。届时EPC公司的应用工程副总裁Michael de Rooij博士将分享在高功率、高度共振式无线充电应用中,如何选择放大器的拓扑结构,从而满足客户在产品设计上的要求。

近年来,配备无线充电功能的消费产品推动了无线充电的快速发展。无线充电的普及要求器件可以在6.78 MHz和13.56 MHz的更高ISM频段工作。共振式系统在该频段允许高效率和高空间自由度,可同时对不同功率级的设备及对多个设备同时充电。在这些高频率下,传统的MOSFET技术已经接近其性能极限。作为硅基功率MOSFET的替代器件 -- 增强型eGaN® FET的开关转换速度在亚纳秒范围内,可以在高频、高压下工作,因此是无线电源应用的理想器件。

EPC的解决方案是在高度共振式无线功率系统、工作在6.78 MHz频率、采用差分模式Class E和ZVS Class D放大器拓扑结构、经过实验验证的比较,并且根据AirFuelTMClass 4标准,可对负载提供最大33 W的功率。实验结果表明,在25°C环境温度下,这两种拓扑结构都使得放大器可以在整个功率负载范围内实现超过85%的效率,而场效应晶体管(FET)并不会超过80%的额定电压或超过100°C器件温度。

EPC公司推出了第五代eGaN FET器件,包括EPC2046(200 V、RDS(on)最大值为25 mΩ、55 A 脉冲输出电流))和EPC2047eGaN FET (10 mΩ、200 V),并备有开发板EPC9081。EPC2046 和 EPC2047都支持无线充电应用。

PCIM Asia 2017(转换与智能运动研讨会)的详情请访问http://www.pcimasia-expo.com.cn/shanghai/zh-cn/visitors/welcome.html

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、功率逆变器光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。详情请浏览我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])