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氮化镓正面攻击硅功率MOSFET器件

分类: 技术文章
氮化镓正面攻击硅功率MOSFET器件

目前的氮化镓场效应晶体管在尺寸及性能方面以飞快的速度发展,而目前为业界树立基准的氮化镓器件的性能还可以提升多300倍。

最早采用氮化镓器件的应用是利用氮化镓的超快速开关速度,例如面向全自动驾驶汽车和无人机的激光雷达系统、机械人,以及4G/LTE基站。氮化镓器件的产量一直在增加,而其价格跟开关速度更慢、尺寸更大型和日益陈旧的MOSFET器件相约。因此,目前正是氮化镓器件正面攻击MOSET的时候!。

Bodo’s Power System
2019年6月
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